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J-GLOBAL ID：201702250083829735   整理番号：17A1570411

ZnOナノワイヤFEAを用いた透過型陽極フラットパネルX線源のための金属陽極層の最適化【Powered by NICT】

Optimization of metal anode layer for transmission anode flat panel X-ray source using ZnO nanowire FEAs

著者 (10件)： Wang Kun (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China) ,  Chen Daokun (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China) ,  Xu Yuan (Department of Biomedical Engineering, Southern Medical University, Guangzhou 510515, People’s Republic of China) ,  Zhang Guofu (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China) ,  Zhang Zhipeng (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China) ,  Zheng Keshuang (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China) ,  She Juncong (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China) ,  Deng Shaozhi (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China) ,  Xu Ningsheng (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China) ,  Chen Jun (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IVNC  ページ： 302-303  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnOナノワイヤ電界エミッタアレイ(FEA)を用いた透過アノードフラットパネルX線源を実現した。透過型フラットパネルX線ターゲットの厚さはX線の出力強度を最大化するために最適化した。EGSnrcベースモンテカルロコードはターゲットから生成されるX線強度とスペクトルをシミュレートするために利用されている。シミュレーション結果はターゲット厚さは出力X線強度に影響する重要な因子であることを示した。種々の厚さのタングステン膜アノードは,20kV陽極電圧下のZnOナノワイヤFEAを用いた透過アノードフラットパネルX線源中で調製し,試験した。性能指数は単位電子数の下でX線の出力強度を特性化するために導入した。実験結果はシミュレーション結果と一致し,タングステン膜の得られた最適厚さは約380nmであった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： スペクトル ,  性能指数 ,  *最適化 ,  シミュレーション ,  キャラクタリゼーション ,  タングステン ,  *X線源 ,  *X線 ,  電圧
準シソーラス用語： 電界エミッタアレイ ,  *酸化亜鉛ナノワイヤ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (8件)： ZnOナノワイヤ ,  FEA ,  透過 ,  陽極 ,  フラットパネル ,  X線源 ,  陽極層 ,  最適化