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J-GLOBAL ID:201702250142243451   整理番号:17A0716515

長距離秩序化ナノ結晶膜中の無機ドット間結合についてポスト組織化制御用の連続イオン層吸収と反応

Successive Ionic Layer Absorption and Reaction for Postassembly Control over Inorganic Interdot Bonds in Long-Range Ordered Nanocrystal Films
著者 (6件):
資料名:
巻:号: 15  ページ: 13500-13507  発行年: 2017年04月19日 
JST資料番号: W2329A  ISSN: 1944-8244  CODEN: AAMICK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ナノ材料のコロイド合成の発展により,様々な高品質ナノ結晶(NC)が生み出された。これまでにない特性を量子ドット固体で実現するには,構成ドットは互いに強く結合していなければならない。つまり,合成時のドットの表面に結合した長鎖絶縁非天然リガンドを除去する必要がある。本稿では,ドット間結合を向上させる手法として,逐次イオン層吸収と反応(SILAR)法を提案し,この方法について評価した。まず,セレン化鉛NC単層を,エチレン・グリコール副相上で六角構造として組織化させたら,この副相にエチレンジアミン(EDA)を添加して,NC膜からリガンドを除去し,膜を配向付着させ,この膜構造をSILAR処理した。そして,得られた膜構造の構造特性,および,光学特性を評価した。詳細な構造解析から,長距離秩序化エピタキシャル接続NC膜のポスト組織化成長によって,NC同士の接続が改善することが示された。更に,SILAR処理により,ドット間結合の割合が82%から91%まで改善し,幅が3.1から4.0nmまで増加した。更に,吸着スペクトルから,量子閉じ込めに対する組織化後成長の影響は,SILARシェル材料に依存することが示された。以上の結果から,提案したSILAR による組織化後膜成長法は,構造欠陥を修復し,エピタキシャル接続NC構体中の量子閉じ込めとドット間結合とのバランスを調整する上で有用であることが実証された。
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半導体薄膜 
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