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J-GLOBAL ID:201702250145571412   整理番号:17A1262680

低温でGaN紫外光検出器の動作に及ぼす着霜の影響【Powered by NICT】

Effect of Frost Formation on Operation of GaN Ultraviolet Photodetectors at Low Temperatures
著者 (2件):
資料名:
巻: 17  号: 15  ページ: 4752-4756  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1318A  ISSN: 1530-437X  CODEN: ISJEAZ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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窒化ガリウム(GaN)光検出器の感度に及ぼす霜成長の影響は室温から 100°Cまでの暗と365nm紫外(UV)照明下での電気的および光学的性質を特性化することによって調べた。直接ワイヤボンディングアーキテクチャは,微細加工のためのアルミニウム/GaN交差指デバイスを作成した。運転温度を 5°C以下に減少するとき,,湿り空気から形成された霜はGaN表面上に観察され,暗電流比(感度因子)は有意な減少を示した(1Vbias下で 100°Cで室温と2.73で6.76)。デバイス表面上の霜の存在は有意にGaN表面(平均85.6%減少室温から 70°Cまで)に入射紫外光の吸収を減少させた。本論文では,低温環境内のUV検出のためのGaNの特性化,クライオスタット,北極研究,宇宙探査応用などを支持している。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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測光と光検出器一般  ,  光導電素子 
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