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J-GLOBAL ID:201702250160667433   整理番号:17A1485655

シリコン法の融液溶浸によるナノMoSi_2SiC複合材料のその場調製【Powered by NICT】

In-situ preparation of nano MoSi2 SiC composite by melt infiltration of silicon method
著者 (7件):
資料名:
巻: 200  ページ: 287-294  発行年: 2017年 
JST資料番号: E0934A  ISSN: 0254-0584  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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二相とその場MoSi_2SiC複合材料を溶融ケイ素溶浸法SiC相はMoSi_2マトリックス中に分散したにより調製した。結果は,この複合材料のマトリックスと強化相は,ナノメートルスケールですべてであることを示し,複合材料は緻密で酸素含有量,マトリックスMoSi_2は(211)格子面の優先配向を生じたもされていない。さらに,多くの積層欠陥とこの複合材料のいくつかの転位した。またこのその場複合材料は,その粒内破壊形態のために高い強度を有していた。複合材料の抵抗率は,SiC含有量とその抵抗率シミュレーション複合材料は非常に微細で分散したSiC相を有していることを確認の増加と共に増加することが明らかになった。1300°C,3hの酸化後,この複合材料の質量利得を一定に保つであろうは不動態化段階が得られる。酸化したサンプルを500°Cの低温で再び酸化に使用する場合,「PEST」はもはや観察された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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塩  ,  セラミック・磁器の性質 
タイトルに関連する用語 (5件):
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