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J-GLOBAL ID：201702250170557284   整理番号：17A1102564

Si柱アレイにおけるパターン化カーボンナノチューブアレイの生長

The growth of patterned carbon nanotube arrays on Si pillar arrays

著者 (5件)： KIM Chang-duk (Kyungpook National Univ., Daegu, KOR) ,  LEE Hyeong-Rag (Kyungpook National Univ., Daegu, KOR) ,  CHOI Sung Kyu (Kyungpook National Univ., Daegu, KOR) ,  PARK Hyunwoong (Kyungpook National Univ., Daegu, KOR) ,  SOHN Young-Soo (Catholic Univ. Daegu, Gyeongsan, KOR)
資料名： Molecular Crystals and Liquid Crystals  (Molecular Crystals and Liquid Crystals)
巻： 645  ページ： 491-496  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0877A  ISSN： 1542-1406  CODEN： MCLCE9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： カーボンナノチューブ(CNT)の生長制御は,CNT系デバイスを製造するために大変重要である。特に,CNTの垂直整列は電界放出器における高い性能を得るための基礎となる。著者らは,各種の電界効果を得るためにシリコン(Si)柱の頭上に垂直整列したCNTアレイを調製した。傾斜角蒸着法によるスパッタリングを使用して,CNTを成長させるためにニッケル触媒をSi柱の頭に蒸着した。使用したSi柱アレイの距離は5~25μm,高さは10~25μmである。調製したCNTアレイはSi柱の頭に垂直整列した。この方法は,CNTアレイを製造するために低コストで効率的なものである。

シソーラス用語： 分子構造 ,  *カーボンナノチューブ ,  成長調節 ,  *真空蒸着 ,  ニッケル触媒 ,  電界放出 ,  ウエハ【IC】 ,  配向 ,  配列
準シソーラス用語： シリコンウエハ ,  ナノチューブアレイ ,  *傾斜角蒸着 ,  垂直整列 ,  成長制御

分類 (2件)： 気相めっき  (WC08022K) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  アレイ ,  パターン化 ,  カーボンナノチューブアレイ ,  生長