(Nd,Ti)-コドープBiFeO<sub>3</sub>薄膜の微細構造,リーク電流,誘電挙動:デポジットする基板の効果

YANG C. H.; LV P. P.; SONG J. H.; LENG J. F.; SUN X. S.

文献

J-GLOBAL ID：201702250190395653 整理番号：17A0468135

(Nd,Ti)-コドープBiFeO₃薄膜の微細構造,リーク電流,誘電挙動:デポジットする基板の効果

The microstructure, leakage current and dielectric behaviors of (Nd,Ti)-codoped BiFeO₃ thin films: effect of deposited substrate

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資料名：
巻： 28 号： 4 ページ： 3423-3427 発行年： 2017年02月
JST資料番号： W0003A ISSN： 0957-4522 CODEN： JMTSAS 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

(Nd,Ti)-コドープBiFeO₃(BNFTO)薄膜を有機金属分解で3種類の基板にデポジットし,その後アニールした。3種類の基板は,LaNiO₃(LNO)/SI,酸化インジウムスズ(ITO)をコートしたガラス,そして単結晶Siである。基板の種類が結晶構造,表面と断面のイメージ,絶縁および誘電特性に与える影響を調べた。すべての試料の結晶形は菱面体晶ペロブスカイト構造であり,(100)ピークの相対強度は異なっている。ITO/ガラス上のBNFTOは他の二つよりもリーク電流が少ない。容量電圧カーブの電圧シフトはITO/ガラスとLNO/Siで異なり,欠陥複合体の濃度の差によるものである。Si上BNFTOのメモリウインドウは±5Vの印加電圧で1.4Vであり,ITO/ガラスとLNOSi基板のBNFTOは性能指数がそれぞれ7.3と9.5である。微細構造と誘電特性は使用する基板に強く依存することが分かる。

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固体デバイス材料 , 酸化物薄膜

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(Nd,Ti)-コドープBiFeO3薄膜の微細構造,リーク電流,誘電挙動:デポジットする基板の効果

(Nd,Ti)-コドープBiFeO₃薄膜の微細構造,リーク電流,誘電挙動:デポジットする基板の効果