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J-GLOBAL ID：201702250251475638   整理番号：17A0937078

ホスホレン様材料の層に依存した電子特性とホスホレンベースvan der Waalsヘテロ構造【Powered by NICT】

Layer-dependent electronic properties of phosphorene-like materials and phosphorene-based van der Waals heterostructures

著者 (6件)： Huang Y. C. (Center for Nano Science and Technology, College of Chemistry and Material Science, The Key Laboratory of Functional Molecular Solids, Ministry of Education, Anhui Laboratory of Molecule-Based Materials, Anhui Normal University, Wuhu, 241000, People’s Republic ...) ,  Chen X. ,  Wang C. ,  Peng L. ,  Qian Q. ,  Wang S. F.
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 25  ページ： 8616-8622  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 黒リンは高いキャリア移動度をもつりんの層状半導体同素体である。その単分子層形態,ホスホレンは,トランジスタ,オプトエレクトロニクスおよびエレクトロニクスにおける有望な可能性を持つ非常に流行二次元材料である。しかし,特にホスホレンベースヘテロ構造とそれらの層制御電子的性質,ホスホレンのような類似体はほとんど系統的に調べた。本論文では,モノ-および数層MXs(M=Sn, Ge; X=S, Se),ホスホレンのような材料の層依存構造と電子特性を,第一第一原理計算により研究した,これらMXsと同様にモノ-および数層のホスホレンのバンド端位置は整列している。MXs間相互結合とMXs層と数層のホスホレン間で形成されたモアレ超構造をもつvan der Waalsヘテロ構造はタイプIまたはタイプII型の特性を示すことができたとI-IIまたはII-I転移は層の数を調整することにより誘導されることを明らかにした。著者らの研究は,複合材料の層の数を変えることにより調整可能な電子特性を有するホスホレンベース半導体ヘテロ構造の新しいファミリーを生み出すことが期待される。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 複合材料 ,  *二次元 ,  半導体 ,  相互接続 ,  トランジスタ ,  計算 ,  モアレ ,  オプトエレクトロニクス ,  黒リン ,  単分子層 ,  キャリア移動度
準シソーラス用語： 超構造 ,  第一原理計算 ,  *フォスフォレン ,  同素体 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： ホスホレン ,  層 ,  電子 ,  VAN ,  ヘテロ構造