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J-GLOBAL ID：201702250278744314   整理番号：17A1550550

カルコゲナイド相変化メモリにおけるプライミングの古典的核形成理論解析【Powered by NICT】

Classical-nucleation-theory analysis of priming in chalcogenide phase-change memory

著者 (4件)： Orava Jiri (Department of Materials Science & Metallurgy, University of Cambridge, 27 Charles Babbage Road, Cambridge CB3 0FS, United Kingdom) ,  Orava Jiri (WPI Advanced Institute for Materials Research, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan) ,  Greer A. Lindsay (Department of Materials Science & Metallurgy, University of Cambridge, 27 Charles Babbage Road, Cambridge CB3 0FS, United Kingdom) ,  Greer A. Lindsay (WPI Advanced Institute for Materials Research, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan)
資料名： Acta Materialia  (Acta Materialia)
巻： 139  ページ： 226-235  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0316A  ISSN： 1359-6454  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： カルコゲン化物Ge_2Sb_2Te_5(GST)は相変化メモリでの使用に関心を集めている。結晶化はメモリ動作のための律速段階であり,「プライミング」加熱パルスの前適用により加速することができる。プライミングパルスとの間の時間間隔と結晶化を達成する主な加熱パルスである場合,プライミング効果の特性フェージングである。は古典的核形成理論を適用したこれらの効果,過冷却液体の完全な温度範囲で核形成速度論(定常状態および過渡)のフィッティングに基づいて解釈した。入力データは物理的実験と原子論的シミュレーションの両方に由来している。二けい酸リチウムのような通常のガラス形成体の以前の研究は,フェージングの可能性を排除する本研究では,しかしながら,フェージングは,GSTと,おそらく他の相変化カルコゲン化物に関連した特定の熱力学的パラメータが期待できることを示した。もGSTの区別と他の典型的なカルコゲン化物系(Ag,In)をドープしたSb_2Teを強調するために核形成解析を用いて古典的核形成理論は,相変化カルコゲン化物に適用可能であることを,実際のメモリセルのそれと一致する性能を予測すると思われる。核形成モデリングは,デバイス応用における材料選択と性能を最適化するのに有用である可能性がある。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *核形成 ,  律速 ,  過冷却液体 ,  ドーピング ,  パルス ,  *カルコゲン化物 ,  最適化 ,  結晶化 ,  記憶素子 ,  速度論 ,  *相転移 ,  *記憶装置 ,  モデリング
準シソーラス用語： *理論解析 ,  *相変化メモリ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 非晶質材料 ,  古典的核形成理論 ,  相変化カルコゲン化物 ,  相転移速度論 ,  急冷凝固

分類 (3件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  その他の金属組織学  (WB01040Y) ,  非晶質金属の構造  (BK04020D)

タイトルに関連する用語 (5件)： カルコゲナイド ,  相変化メモリ ,  プライミング ,  核形成 ,  理論解析