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J-GLOBAL ID:201702250308036941   整理番号:17A1174662

高開回路電圧を持つCu_2ZnSnS_4太陽電池【Powered by NICT】

The Cu2ZnSnS4 solar cell with high open circuit voltage
著者 (7件):
資料名:
巻: 509  ページ: 50-54  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0676B  ISSN: 0921-4526  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,CZTS薄膜上の二つの異なった硫化プロセスの影響を調べ,その結果は,硫化後の急速な高温結晶化過程は大きな結晶粒を持つコンパクトで平坦な表面を得るためにCZTS薄膜に有益であったことを示した。しかし,急速な高温結晶化過程を持たない通常の硫化は膜の望ましくない特性,ピンホールを有する粗い表面,デバイスの性能を退化のようなへ容易に導くであろう。硫化後の急速な高温プロセスに基づくCu_2ZnSnS_4(CZTS)太陽電池は,722mVの高い開路電圧と3.32%が得られた最高効率を達成した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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半導体薄膜 
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