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J-GLOBAL ID：201702250342095939   整理番号：17A0755718

典型的なシリコン貫通電極構造におけるマイクロバンプの接触抵抗【Powered by NICT】

Contact Resistance of Microbumps in a Typical Through-Silicon-Via Structure

著者 (5件)： Lwo Ben-Je (Department of Mechanical and Aerospace Engineering, Chung-Cheng Institute of Technology, National Defense University, Taoyuan, Taiwan) ,  Teng Chia-Liang (Department of Mechanical and Aerospace Engineering, Chung-Cheng Institute of Technology, National Defense University, Taoyuan, Taiwan) ,  Tseng Kun-Fu (Department of Multimedia and Game Science, Asia-Pacific Institute of Creativity, Miaoli, Taiwan) ,  Ni Tom (Powertech Technology Inc., Hsinchu, Taiwan) ,  Lu Shirley (Powertech Technology Inc., Hsinchu, Taiwan)
資料名： IEEE Transactions on Components, Packaging, and Manufacturing Technology  (IEEE Transactions on Components, Packaging, and Manufacturing Technology)
巻： 7  号： 1  ページ： 27-32  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0590B  ISSN： 2156-3950  CODEN： ITCPC8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン貫通ビア(TSV)構造をもったプラスチックボールグリッドアレイパッケージングにおけるマイクロバンプの接触抵抗を特性化した。自己設計TSVデイジーチェーン回路は測定経路の定式化を容易にするために提案し,試験サンプルは,実際の製品挙動をシミュレートするために市販包装工程を用いて行った。提案した単一モデルと試験構造のための完全なモデルを用いて,約25mΩはマイクロバンプあたりの平均接触抵抗として測定し,各マイクロバンプの接触抵抗はさらに4および60mΩの間の別々に抽出した,アニーリング効果に起因すると減少する接触抵抗は二種類の信頼性試験から観察された。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： キャラクタリゼーション ,  信頼性試験 ,  定式化 ,  *接触抵抗
準シソーラス用語： アニーリング効果 ,  *マイクロバンプ ,  *シリコン貫通ビア , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： シリコン貫通電極 ,  マイクロバンプ ,  接触抵抗