文献

J-GLOBAL ID：201702250357098551   整理番号：17A1570830

ブートストラッピング法を用いた調整可能なkΩGΩ疑似高抵抗へ【Powered by NICT】

Tunable kΩ to GΩ pseudo-resistor with bootstrapping technique

著者 (5件)： Caetano Diogo M. (INESC-ID Lisboa, Instituto Superior Te ́cnico, Universidade de Lisboa, 1000-029 Lisboa, Portugal) ,  Oliveira David (INESC-ID Lisboa, Instituto Superior Te ́cnico, Universidade de Lisboa, 1000-029 Lisboa, Portugal) ,  Silva Joao (INESC-ID Lisboa, Instituto Superior Te ́cnico, Universidade de Lisboa, 1000-029 Lisboa, Portugal) ,  Rabuske Taimur (INESC-ID Lisboa, Instituto Superior Te ́cnico, Universidade de Lisboa, 1000-029 Lisboa, Portugal) ,  Fernandes Jorge (INESC-ID Lisboa, Instituto Superior Te ́cnico, Universidade de Lisboa, 1000-029 Lisboa, Portugal)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： MWSCAS  ページ： 1569-1572  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,ギガオーム擬似-抵抗(PR)にキロオーム,固定V_gs配置のサブしきい値で動作するトランジスタに基づくのための新しいアーキテクチャを提案した。RCフィルタで使用した場合,このPRはプログラム極周波数に関係なく非常に低く,一定の整定時間を持つ。提案したPRはその同調範囲を改善するためのブートストラッピングを利用している。予備充電したコンデンサを用いたトランジスタのための一定V_Gsを定義することによって,GND VDDから電圧を用いることができ,トランジスタはカットオフ領域(ギガオームのために高抵抗)から深い3極管領域(キロオームのために低抵抗)に調整することができた。公開されたPRは容量結合増幅器のDCフィードバックループに使用され,帯域幅同調範囲9桁(mHz MHzまで)を可能にする。さらに,PRトランジスタのゲートを地面に結合にプリチャージ期間を用いて,異なる公称インピーダンスを持つ電極/センサは増幅器入力に多重化する増幅器は1μs以下の解決,応用と一致した。増幅器とPRは0.35μm CMOSプロセスで検証し,レイアウト後シミュレーションとした。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： トランジスタ ,  増幅器 ,  電圧 ,  計算機アーキテクチャ ,  *ブートストラップ ,  インピーダンス ,  RCフィルタ ,  シミュレーション ,  充電 ,  周波数 ,  帯域幅 ,  コンデンサ
準シソーラス用語： フィードバックループ ,  同調範囲 ,  サブ閾値 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (1件)： ブートストラッピング