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J-GLOBAL ID:201702250434339555   整理番号:17A1720586

化学的に不活性な第二相ナノ粒子による熱電PbSeのドーピング【Powered by NICT】

Doping of thermoelectric PbSe with chemically inert secondary phase nanoparticles
著者 (5件):
資料名:
巻:号: 41  ページ: 10881-10887  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2383A  ISSN: 2050-7526  CODEN: JMCCCX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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熱電材料だけでなく,半導体の多くの他の応用では,キャリア密度を最適化することが非常に重要である。これは通常は原子置換により行った。本研究では,複合材料が形成されると系統的ドーピングが期待され最小ナノ粒子から生じた結果を示した。PbSeおよびナノ粒子SiCの複合材料でこれを達成した。2×10~19cm~ 3までの高キャリア濃度は5vo1%までのSiCナノ粒子負荷で達成された。これはバルクPbSeにおける許容されるよりもより多くの欠陥を安定化する界面に起因すると考えられる。ナノ粒子ドーピング効果は800Kで1に近いzTと優れた熱電性能をもたらし,従来のドーパントを用いて最適化PbSeと同程度であった。従来のドーピングが困難であることが判明した著者らの結果は,キャリア濃度調整のための半導体におけるこのまれな機構の良好な可能性を示している。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
無機化合物一般及び元素  ,  熱電デバイス 

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