文献

J-GLOBAL ID：201702250440383969   整理番号：17A0448335

AgGaGe_3Se_8をドープした結晶における光伝導と光誘起圧電性の特徴【Powered by NICT】

Specific features of photoconductivity and photoinduced piezoelectricity in AgGaGe₃Se₈ doped crystals

著者 (11件)： Kityk I.V. (Faculty of Electrical Engineering, Armii Krajowej 17, PL-42-201, Czestochowa, Poland) ,  Myronchuk G.L. (Physics Department, Eastern European National University, 13 Voli Avenue, 43025, Lutsk, Ukraine) ,  Parasyuk O.V. (Department of Chemistry, Eastern European National University, 13 Voli Avenue, 43025, Lutsk, Ukraine) ,  Krymus A.S. (Physics Department, Eastern European National University, 13 Voli Avenue, 43025, Lutsk, Ukraine) ,  Krymus A.S. (Institute of Physics, J.Dlugosh University, Armii Krajowej 13/15, PL-42-201, Czestochowa, Poland) ,  Rakus P. (Faculty of Electrical Engineering, Armii Krajowej 17, PL-42-201, Czestochowa, Poland) ,  El-Naggar A.M. (Physics Department, Faculty of Science, Ain Shams University, Abassia, Cairo, 11566, Egypt) ,  El-Naggar A.M. (Research Chair of Exploitation of Renewable Energy Applications in Saudi Arabia, Physics & Astronomy Dept., College of Science, King Saud University, P.O. Box 2455, Riyadh, 11451, Saudi Arabia) ,  Albassam A.A. (Research Chair of Exploitation of Renewable Energy Applications in Saudi Arabia, Physics & Astronomy Dept., College of Science, King Saud University, P.O. Box 2455, Riyadh, 11451, Saudi Arabia) ,  Lakshminarayana G. (Wireless and Photonic Network Research Centre, Faculty of Engineering, Universiti Putra Malaysia, 43400, Serdang, Selangor, Malaysia) ,  Fedorchuk A.O. (Department of Inorganic and Organic Chemistry, Lviv National University of Veterinary Medicine and Biotechnologies, Pekarska Street 50, 79010, Lviv, Ukraine)
資料名： Optical Materials  (Optical Materials)
巻： 63  ページ： 197-206  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0468A  ISSN： 0925-3467  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,重量単位で含有量5%のIn,SnおよびCuをドープしたAgGaGe_3Se_8単結晶について行った複雑な光伝導と光誘起圧電気研究。固有カチオン性およびアニオン性欠陥の重要な役割を実証した。光伝導と光吸収スペクトルは有効エネルギーギャップのかなりの変化と吸収端の急峻性を示した。Sn,Cu,In不純物の存在下での局在状態の間の光学遷移の役割を検討した。外部レーザ照射下での圧電研究は圧電定数値とそれらの異方性に及ぼすドーパントの重要な役割を示した。透明光誘起ジャンプが発見された。結晶化学解析と量子化学計算の枠内で行った。光学的に動作する圧電トリガーの生産の可能性を提案した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ドーパント ,  吸収端 ,  *圧電気 ,  レーザ照射 ,  *ドーピング ,  結晶化学 ,  不純物 ,  *結晶 ,  銅 ,  *光伝導 ,  単結晶
準シソーラス用語： 量子化学計算 ,  圧電定数 ,  光学遷移 ,  *光誘起 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 光誘起圧電性 ,  カルコゲン化物光学結晶 ,  カルコゲン化物における光輸送

分類 (2件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： ドープ ,  結晶 ,  光伝導 ,  光誘起 ,  圧電性