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J-GLOBAL ID：201702250537755955   整理番号：17A1488514

14バンドk・pハミルトニアンを用いたII型GaSbBi/GaAs量子井戸のバンド構造と光学利得の計算【Powered by NICT】

Calculation of band structure and optical gain of type-II GaSbBi/GaAs quantum wells using 14-band k p Hamiltonian

著者 (3件)： Mal Indranil (Department of Electronics and Computer Engineering, National Institute of Technology, Arunachal Pradesh 791112, India) ,  Samajdar D.P. (Department of Electronics & Communication Engineering, PDPM Indian Institute of Information Technology, Design and Manufacturing, Jabalpur, Madhya Pradesh 482005, India) ,  Das T.D. (Department of Basic & Applied Science, National Institute of Technology, Arunachal Pradesh 791112, India)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 109  ページ： 442-453  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 歪んだGaSbBi/GaAsヘテロ構造の電子バンド構造を,12バンド原子価バンド反交差(VBAC)マトリックスの拡張形である14バンドk・pハミルトニアンを用いて調べた。GaSb/GaAs II型系におけるBiの取り込みに起因した価電子帯と伝導サブバンドのシフトを計算し,利用できる実験データと比較した。51meVのバンドギャップ減少とバルクGaSb_0 0.987Bi_0 0.013における~27meVによるスピン-軌道分裂エネルギーの増大とは異なり,GaSbBi/GaAs量子井戸(QW)における7.3%圧縮歪はバンドギャップを増加1.12eVとスピン-軌道分裂エネルギー1.217eVまでによって完全にシナリオを修正する。結晶方向Δ,ΛおよびΣにおけるキャリアの分散関係と有効質量はこのハミルトニアン収率を用いたいくつかの興味深い結果Γ点付近で計算した。注入されたキャリアの密度とQWの大きさの光学利得の変化を計算し,利得曲線のピークは量子井戸の幅の減少と共に低波長へのシフトを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *量子井戸 ,  *利得 ,  価電子バンド ,  *バンド構造 ,  結晶方位 ,  *ハミルトニアン ,  分散関係 ,  *ヒ化ガリウム ,  バンドギャップ ,  有効質量 ,  *ビスマス
準シソーラス用語： 圧縮歪 ,  サブバンド ,  ヘテロ構造 ,  *光利得 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： VBAC ,  GaSbBi/GaAs ,  量子井戸 ,  k・p法 ,  圧縮歪 ,  バンドギャップ

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (7件)： バンド ,  ハミルトニアン ,  GaAs ,  量子井戸 ,  バンド構造 ,  光学利得 ,  計算