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J-GLOBAL ID：201702250627847346   整理番号：17A1636877

低振幅と位相不均衡のためのオフセット半径コイルを用いた30~60GHz SiGe変圧器バラン【Powered by NICT】

A 30-60 GHz SiGe transformer balun with offset radii coils for low amplitude and phase imbalance

著者 (5件)： Chakraborty Sudipta (Department of Engineering, Macquarie University, Sydney, NSW 2109, Australia) ,  Milner Leigh E. (Department of Engineering, Macquarie University, Sydney, NSW 2109, Australia) ,  Hall Leonard T. (Defence Science Teclinology Group, Adelaide, SA 5111, Australia) ,  Parker Anthony (Department of Engineering, Macquarie University, Sydney, NSW 2109, Australia) ,  Heimlich Michael (Department of Engineering, Macquarie University, Sydney, NSW 2109, Australia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IMS  ページ： 1278-1281  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低振幅と位相不均衡をもつ広帯域変圧器バランの特性化を本論文で提示した。変圧器バルン設計のための二つの新しい技術を採用し, 0.12dBの非常に低い大きさの不均衡と30~60GHzで1°以下の位相不均衡をもたらすによって達成される大きな帯域幅にわたり優れたバランス。挿入損失の間のトレードオフとバランのバランスを調べた。最初に,一次及び二次コイルの適切な幅は妥当な挿入損失のために選択される。第二に,一次及び二次コイルの半径を寄生結合容量を低減するために相殺され,差動信号のバランスを改善した。バランは0.13μιηSiGe技術で作成した。バランは0.2mm×0.145mmのチップサイズと非常に小型である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *変圧器 ,  帯域幅 ,  *位相 ,  挿入損 ,  *バルン ,  *オフセット ,  キャラクタリゼーション ,  広帯域
準シソーラス用語： チップサイズ ,  差動信号 ,  結合容量 ,  *シリコンゲルマニウム ,  *不均衡 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： その他の伝送回路素子  (NC04070U)

タイトルに関連する用語 (8件)： 振幅 ,  位相 ,  均衡 ,  オフセット ,  半径 ,  SiGe ,  変圧器 ,  バラン