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J-GLOBAL ID：201702250685067062   整理番号：17A0880502

SbドープAl_23Te_77ガラスにおける電気的スイッチング【Powered by NICT】

Electrical switching in Sb doped Al₂₃Te₇₇ glasses

著者 (2件)： Pumlianmunga (Department of Physics, Indian Institute of Science, Bangalore 560012, Karnataka, India) ,  Ramesh K. (Department of Physics, Indian Institute of Science, Bangalore 560012, Karnataka, India)
資料名： Journal of Physics and Chemistry of Solids  (Journal of Physics and Chemistry of Solids)
巻： 107  ページ： 68-74  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0202A  ISSN： 0022-3697  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 融液急冷法により調製したバルクガラス(Al_23Te_77)Sb_x(0≦x≦10)はしきい値x≧5のための記憶への切り替え型の変化を示した。しきい値電流(I_th)の増加としきい値電圧(V_th)と抵抗率(ρ)の付随的減少はSb含有量の増加と共に観察された。メモリスイッチング組成におけるスイッチ領域のRamanスペクトルは,作製したガラスに関して赤方偏移を示すしきい値スイッチング組成におけるこのようなシフトは観測されなかった。~27Al原子の核磁気共鳴(MAS NMR)魔法角回転は,Al(~[4]Al,~[5]Alと~[6]Al)に三か所の異なる環境を示した。それらの独自の結晶化温度でアニールした試料は~[5]Alサイトを消滅による~[4]Alサイトの急速な増加を示した。室温(27°C)で水焼入れしきい値スイッチングガラス(x≦2.5)の融液は非晶質構造を示し,一方,メモリスイッチングガラス(x>2.5)の融液を結晶構造の状態に凝固した。Alのより高い配位が架橋および剛性を増加させる。Sbの添加はガラス転移(T_g)を増加させ,結晶化温度(T_c)を減少させた。T_gとT_c間の間隔の減少は,非晶質状態と結晶状態の間の遷移を容易にすると記憶特性を改善する。スイッチング時の温度上昇はその融点と同等であり,電極間に材料はフィラメントを形成するために融解する。フィラメントは一時的(高抵抗非晶質)と永久(高導電性結晶性)ユニットから構成されている可能性がある。一時的および恒久的単位間の比はスイッチング型を決めることになろう。フィラメントはメモリスイッチング組成およびしきい値スイッチング組成の一時的ユニットによる永久単位によって支配されている。本研究では,しきい値とメモリスイッチングの両方が熱モデルとフィラメント形成により理解できることを示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 晶出温度 ,  電気抵抗率 ,  *ドーピング ,  結晶度 ,  非晶質 ,  *アンチモン ,  *ガラス ,  融点 ,  *アルミニウム ,  NMR【磁気共鳴】 ,  結晶 ,  *スイッチ ,  *スイッチング ,  フィラメント
準シソーラス用語： 融液 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： ガラスの性質・分析・試験  (YC02030Z) ,  ガラスの製造  (YC02020O) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  金属-絶縁体転移  (BM02110T)

タイトルに関連する用語 (4件)： Sb ,  ドープ ,  ガラス ,  スイッチング