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J-GLOBAL ID：201702250734513879   整理番号：17A1627405

M_6C炭化物の安定性を高めるにおけるSiドーピングの重要な役割【Powered by NICT】

The critical role of Si doping in enhancing the stability of M₆C carbides

著者 (11件)： Jiang Li (Thorium Molten Salts Reactor Center, Shanghai Institute of Applied Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201800, China) ,  Ye Xiang-Xi (Thorium Molten Salts Reactor Center, Shanghai Institute of Applied Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201800, China) ,  Wang Zhi-Qiang (Department of Chemistry, University of Western Ontario, London N6A 3K7, Canada) ,  Yu Cun (Thorium Molten Salts Reactor Center, Shanghai Institute of Applied Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201800, China) ,  Dong Jia-Sheng (Institute of Metal Research, Chinese Academy of Sciences, Shenyang 110016, China) ,  Xie RuoBing (Thorium Molten Salts Reactor Center, Shanghai Institute of Applied Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201800, China) ,  Li Zhi-Jun (Thorium Molten Salts Reactor Center, Shanghai Institute of Applied Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201800, China) ,  Yan Long (Thorium Molten Salts Reactor Center, Shanghai Institute of Applied Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201800, China) ,  Sham Tsun-Kong (Department of Chemistry, University of Western Ontario, London N6A 3K7, Canada) ,  Zhou Xing-Tai (Thorium Molten Salts Reactor Center, Shanghai Institute of Applied Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201800, China) ,  Li Ai-Ming (Fushun Special Steel Co., Ltd., Fushun 113006, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 728  ページ： 917-926  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： M_6C炭化物が高速度鋼及び超合金の最も一般的な第二相の一つであり,また,エネルギー応用のための代替触媒材料である。M_6C炭化物の安定性に及ぼすSiドーピングの影響を種々の合金でしばしば観察されているが,その原子スケール機構は十分に理解されていない。GH3535合金におけるNi_3Mo_3C型M_6C炭化物を得て,Si含有量に及ぼすそれらの構造と組成の依存性を評価した。高エネルギーシンクロトロンX線回折と第一原理計算を組み合わせて,Si原子はNi_3Mo_3C構造におけるNi(16d)サイトを優先的に占めることが分かった。近吸収端構造電子構造とSiK端X線吸収は,Si原子の間のバンド混成と電荷移動およびSiドープNi_3Mo_3C構造における最近接Ni(32e)とMo(48f)原子,M_6C炭化物の安定性の原因を実証した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 触媒 ,  吸収端 ,  高速度鋼 ,  X線吸収 ,  *ケイ素 ,  超合金 ,  計算 ,  電子構造 ,  電荷移動 ,  合金 ,  *炭化物 ,  第二相 ,  *ドーピング
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  放射光X線回折 ,  原子スケール , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Siドーピング ,  M_6C炭化物 ,  安定性 ,  SiK端XANES ,  第一原理計算

分類 (1件)： 組織的硬化現象  (WB01020C)

タイトルに関連する用語 (5件)： 炭化物 ,  安定性 ,  Si ,  ドーピング ,  役割