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J-GLOBAL ID：201702250770794445   整理番号：17A0697212

低漏れ単一ビット線9T(SB9T)スタティックランダムアクセスメモリ【Powered by NICT】

Low Leakage Single Bitline 9T (SB9T) Static Random Access Memory

著者 (4件)： Ahmad Sayeed (the Department of Electronics Engineering, Aligarh Muslim University, Aligarh 202002, India) ,  Gupta Mohit Kumar (the Electronics Engineering Department at AMU. He is presently with the Department ESAT-MICAS, KU Leuven, Belgium) ,  Alam Naushad (the Department of Electronics Engineering, Aligarh Muslim University, Aligarh 202002, India) ,  Hasan Mohd. (the Department of Electronics Engineering, Aligarh Muslim University, Aligarh 202002, India)
資料名： Microelectronics Journal  (Microelectronics Journal)
巻： 62  ページ： 1-11  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0186A  ISSN： 0026-2692  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低漏れ,良好な静的および動的読取/書込性能を有する半選択自由SB9T SRAMセルに沿って小さな領域を提示した。提案したセルは,この研究で考慮した細胞間の高い読取SNMと低い漏れ電力を提供する6T細胞のそれのわずか37%の面積オーバヘッドを引き起こしている。シミュレーション結果は,6T SRAMと比較して,提案した電池は4.2×のより高いRSNM,33%低い平均漏れ電力を提供することを示した。提案した細胞も同じビット線に接続された細胞のより多くを持つことにより,面積オーバヘッドを補償する可能性を持つことを10倍以上高いIon/Ioff比を提供する。提案したセルは単一ビット線構造のためのより長い書き込み遅延を持っている;が,6T細胞の低い読み出し遅延とより小さな読取/書込パワーを達成した。16nm技術でHSPICEを用いたモンテカルロシミュレーションは,局所及び全地球的変化を組み込むことにより実施し,提案した電池はプロセス変動に対して高いロバスト性を提供することが観察された。,提案した電池は高い安定性,低電力,低面積と中程度の速度を要求する応用のための良好な選択肢であり得る。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ロバスト性 ,  シミュレーション ,  *SRAM ,  電池 ,  地球
準シソーラス用語： 低電力化 ,  プロセス変動 ,  モンテカルロシミュレーション ,  HSPICE ,  読出し ,  漏れ電力 ,  *ビット線 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： メモリ ,  スタティックランダムアクセスメモリ(SRAM) ,  Variability ,  静的雑音余裕 ,  単一終端 ,  低電力

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 漏れ ,  ビット線 ,  スタティックランダムアクセスメモリ