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J-GLOBAL ID：201702250781431557   整理番号：17A1033122

幾何学的変動:トライゲートFinFETにおける表面粗さとライン粗さの影響を調べるための新しいアプローチ【Powered by NICT】

Geometric variation: A novel approach to examine the surface roughness and the line roughness effects in trigate FinFETs

著者 (7件)： Hsieh E. R. (Department of Electronics Engineering & Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Fan Y. C. (Department of Mechatronic Engineering, National Taiwan Normal University, Taipei, Taiwan) ,  Liu C. H. (Department of Mechatronic Engineering, National Taiwan Normal University, Taipei, Taiwan) ,  Chung Steve S. (Department of Electronics Engineering & Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Huang R. M. (UMC, Hsinchu, Taiwan) ,  Tsai C. T. (UMC, Hsinchu, Taiwan) ,  Yew T. R. (UMC, Hsinchu, Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EDTM  ページ： 130-131  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい理論は,トライゲートFinFETの幾何学的変分のために開発した。この幾何学的変化は線粗さ誘起変動と酸化物の厚さ変動の両方,ゲート容量とIg電流変化からそれぞれ測定を含んでいる。実験結果は,フィン高さはスケールアップとフィン幅が縮小し,大きなI_on電流変化をもたらすとして3ゲートデバイスが深刻化している線変動を受けることを示した。すなわち,フィンアスペクト比を増加すると,線変化が活発になっている消費電力の増大を示す悪かった。一方,酸化物厚さ変化はオフ状態漏れに大きな影響を明らかにし,すなわち,粗いゲート酸化物は静的電力に広がって得られた。これらの貴重な結果は,高品質の3次元ゲートFinFETの設計と製造のための重要な指針を提供した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 酸化物 ,  三次元 ,  スケールアップ ,  アスペクト比 ,  電力 ,  電流 ,  消費電力 ,  変分法 ,  *フィン
準シソーラス用語： 高品質 ,  ゲート酸化物 ,  オフ状態 ,  ゲート容量 ,  *FinFET ,  *トライゲート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 幾何学 ,  トライゲート ,  FinFET ,  表面粗さ ,  粗さ