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J-GLOBAL ID：201702250807971521   整理番号：17A0325601

第一原理からのBiCuSeO熱電材料における共鳴ドーピング【Powered by NICT】

Resonant doping in BiCuSeO thermoelectrics from first principles

著者 (4件)： Shen Jiahong (Department of Mechanical Engineering, The University of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong SAR, China. [e-mail]) ,  Yu Hulei ,  Pei Yanzhong ,  Chen Yue
資料名： Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability  (Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability)
巻： 5  号： 3  ページ： 931-936  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0204B  ISSN： 2050-7488  CODEN： JMCAET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： BiCuSeOに及ぼすほう素族(Al,Ga,In,Tl)と窒素族元素(As,Sb)のドーピング効果をバンド変性法と密度汎関数理論を組み合わせた研究した。これらドーパントの置換サイト優先性は形成エネルギーに基づいて予測した。伝導帯極小付近の顕著な共鳴状態とBiCuSeOの価電子帯最大値はInおよびTlにより誘導され,それぞれ,バンド工学による熱電効率の向上のためのガイドラインを提供していることが分かった。ドープした系の有効バンド構造を共鳴状態の直接検査で得られた。ヒ素はBiまたはSe原子を置換する傾向があるが,電子構造は置換サイトに強く依存する。状態密度と電荷密度の分解密度も共鳴効果の起源を明らかにするために計算した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： インジウム ,  ヒ素 ,  伝導バンド ,  状態密度 ,  タリウム ,  密度汎関数法 ,  *ビスマス ,  *熱電材料 ,  ドーパント ,  *セレン ,  価電子バンド ,  *共鳴
準シソーラス用語： 電荷密度 ,  共鳴状態 ,  形成エネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 熱電デバイス  (NC03090J) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： 第一原理 ,  熱電材料 ,  共鳴 ,  ドーピング