文献

J-GLOBAL ID：201702250861949463   整理番号：17A1022969

ひ素元素添加によるSe Ge Sbカルコゲナイドガラスの組成修飾【Powered by NICT】

Compositional modification of Se-Ge-Sb chalcogenide glasses by addition of arsenic element

著者 (3件)： Ghayebloo M. (Department of Materials Science and Engineering, University of Tabriz, Iran) ,  Tavoosi M. (Department of Materials Engineering, Malek-Ashtar University of Technology (MUT), Iran) ,  Rezvani M. (Department of Materials Science and Engineering, University of Tabriz, Iran)
資料名： Infrared Physics & Technology  (Infrared Physics & Technology)
巻： 83  ページ： 62-67  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0184A  ISSN： 1350-4495  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ヒ素元素の添加によるSe Ge Sbガラスの構造的,熱的および光学的性質の改質は本研究の目的であった。これに関して,Se_60Ge_40 xSb_5As_x(0≦x≦15)の六つの異なるガラスは石英アンプル中で通常の融液急冷法により調製した。作製された試料をX線回折(XRD),示差走査熱量測定(DSC),UV-Vis-NIR分光光度計,Fourier変換赤外(FTIR)およびRaman分光法を用いて特性化した。ガラスの基礎吸収端をDavisおよびMottにより提案された理論の観点から解析した。得られた結果に基づいて,この合金系で調製したガラスのガラス転移温度,光学エネルギーギャップとUrbachエネルギーは325 380°C,1.43 1 0.64eVと0.03 0.3547eVの範囲であった。として調製したガラスはガラス転移温度,透過率,吸収端,光学エネルギーギャップとUrbachエネルギーのためのひ素の5 7-0.5モル%で異常な挙動を示した。Ramanスペクトルに基づいて,構造解析は,7.5モル%までのヒ素含有量を増加させるとネットワーク接続性を増加Se_60Ge_40 xSb_5As_x(0≦x≦15)系における異常な挙動の主な理由であることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 急冷 ,  エネルギーギャップ ,  光学的性質 ,  吸収端 ,  *ヒ素 ,  透過率 ,  石英 ,  *ゲルマニウム ,  X線回折 ,  *カルコゲン化物ガラス ,  Ramanスペクトル ,  Raman分光法 ,  ガラス転移点 ,  示差走査熱量測定 ,  *ガラス

著者キーワード (4件)： カルコゲン化物ガラス ,  Se Ge Sb ,  IR透過率 ,  構造

分類 (3件)： ガラスの性質・分析・試験  (YC02030Z) ,  無機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル  (BM08063C) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (8件)： ひ素 ,  元素 ,  Se ,  Ge ,  Sb ,  カルコゲナイドガラス ,  組成 ,  修飾