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文献
J-GLOBAL ID:201702250863020167   整理番号:17A0407255

スピンオン法によるErをドープした化学的に合成したIn_2O_3薄膜からの酸素に関係した欠陥の除去【Powered by NICT】

Removal of oxygen related defects from chemically synthesized In2O3 thin film doped with Er by spin-on technique
著者 (5件):
資料名:
巻: 695  ページ: 1260-1265  発行年: 2017年
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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ErドープIn_2O_3薄膜(TF)の合成は,化学プロセスにより実証した。In_2O_3の結晶相はErドーピングと共に減少した。関連陰極線ルミネセンス(CL)発光酸素欠陥は,強化されたErドーピングと共に減少した。アンドープIn_2O_3TF(~3.53 eV)の基本的なバンドギャップは最大~3.83eVまで増加する(at.%Er0.22)。自由キャリアとトラップ濃度は,アンドープ及び最高Erドープしたデバイスのための~8×10~16cm~ 3から減少する~5×10~12cm~ 3と~2.1×10~17cm~ 3それぞれ~1.3×10~13cm~ 3であった。障壁高さが増加し,Erをドープしたデバイスでは減少し理想因子。素子の時間応答も著しい改善を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
無機化合物のルミネセンス 
タイトルに関連する用語 (6件):
タイトルに関連する用語
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