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J-GLOBAL ID：201702250947058101   整理番号：17A1633259

AlN/MoS_2コア-シェルナノワイヤの構築によるMoS_2単分子層の改良された光放出【Powered by NICT】

Improved light emission of MoS₂ monolayers by constructing AlN/MoS₂ core-shell nanowires

著者 (5件)： Chen Fei (School of Materials Science and Engineering, South China University of Technology, Guangzhou 510641, China. [e-mail]) ,  Wang Ting ,  Wang Lei ,  Ji Xiaohong ,  Zhang Qinyuan
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 39  ページ： 10225-10230  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 層状二次元(2D)遷移金属二カルコゲン化物から成るハイブリッド構造は,それらの例外的な調整可能な光学的,電子的及び触媒的性質のため,大きな注目を集めている。本論文では,作製とAlN/MoS_2コア-シェルナノワイヤの新しい増強された光ルミネセンス(PL)特性を報告した。調製されたままのAlN/MoS_2コア-シェルヘテロ構造の形態と組成をX線回折,電界放射走査電子顕微鏡,透過型電子顕微鏡,X線光電子分光法およびRaman分光法によって特性化した。PL測定は,AlN/MoS_2ヘテロ構造のPL発光はSi/SiO_2基板上に成長させたMoS_2単分子層のそれと比較して青方偏移と増強されたことを示した。AlN/MoS_2ヘテロ構造のPL増強は主にヘテロ構造の界面を横切る電荷移動に起因した。ここに示した結果は,MoS_2単分子層のPL増強への新規洞察を提供した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光ルミネセンス ,  *窒化アルミニウム ,  界面 ,  透過型電子顕微鏡 ,  Raman分光法 ,  *発光 ,  *コアシェル構造 ,  電荷移動 ,  X線光電子分光法 ,  二次元 ,  *単分子層 ,  X線光電子スペクトル ,  複合構造 ,  青方偏移
準シソーラス用語： 電界放出型走査電子顕微鏡 ,  ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (6件)： AlN ,  コア-シェル ,  ナノワイヤ ,  構築 ,  単分子層 ,  光放出