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J-GLOBAL ID:201702250972534781   整理番号:17A1563517

共ドーピングハフニウムほう素炭化物によるPressurelesslyち密化した(Zr,Hf)B_2SiCセラミック【Powered by NICT】

Pressurelessly densified (Zr,Hf)B2-SiC ceramics by co-doping hafnium-boron carbides
著者 (6件):
資料名:
巻: 727  ページ: 706-710  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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(Zr,Hf)B_2SiCセラミックスは外部圧力の存在なしで2200°Cで緻密化し,原料として市販されているZrB_2,SiC,HfC及びB_4C粉末を用いた。HfCはB_4Cと反応してHfB_2とCその場を形成する:ZrB_2 HfB_2の連続固溶体の生成は高温時のマトリックスの粒成長を効果的に阻害し,一方,緻密化向上において重要な役割を果たした。機械的性質,曲げ強さ,弾性率,ビッカース硬さ及び押込靭性を元のZrB_2SiC HfB_2B_4C(ZSHB)処方の組成設計,そのZrB_2SiC対応物を優れにより調整した。新しい反応性ち密化機構も議論した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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セラミック・陶磁器の製造  ,  誘電体一般 

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