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J-GLOBAL ID：201702251018894812   整理番号：17A1038206

次RFおよび論理技術生成のためのIII-Vナノワイヤの集積【Powered by NICT】

Integration of III-V nanowires for the next RF- and logic technology generation

著者 (1件)： Wernersson Lars-Erik (Electrical and Information Technology, Lund University, Sweden)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： VLSI-TSA  ページ： 1-2  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： III-VナノワイヤMOSFETがスケーリングされたノードで魅力的な[1]。有利な輸送特性は,駆動電流を増加させ,高周波特性を改善した。ナノワイヤ幾何構造が,優れた静電的制御を可能にし,Siプラットフォーム上に集積するための経路を容易にする。本論文では,最先端のIII-VナノワイヤMOSFETを示し,縦方向と横方向の配置の利点を議論する。,特にTunnelFETs用のIII-V族ナノワイヤ利点を実証し,RF領域での展望を強調する。測定した高電流レベルはIII-VナノワイヤMOSFFETsの可能性を実証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  電流 ,  MOSFET ,  ケイ素
準シソーラス用語： 幾何構造 ,  高周波特性 ,  駆動電流 ,  輸送特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： RF ,  論理 ,  ナノワイヤ ,  集積