Isakov Ivan について
Department of Physics and Centre for Plastic Electronics, Blackett Laboratory, Imperial College London, South Kensington, London SW7 2AZ, United Kingdom について
Paterson Alexandra F. について
Department of Physics and Centre for Plastic Electronics, Blackett Laboratory, Imperial College London, South Kensington, London SW7 2AZ, United Kingdom について
Solomeshch Olga について
Sara and Moshe Zisapel Nano-Electronic Center, Department of Electrical Engineering, Technion - Israel Institute of Technology, Haifa 3200, Israel について
Tessler Nir について
Sara and Moshe Zisapel Nano-Electronic Center, Department of Electrical Engineering, Technion - Israel Institute of Technology, Haifa 3200, Israel について
Zhang Qiang について
King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Materials Science and Engineering, Thuwal 23955-6900, Kingdom of Saudi Arabia について
King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Materials Science and Engineering, Thuwal 23955-6900, Kingdom of Saudi Arabia について
Zhang Xixiang について
King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Materials Science and Engineering, Thuwal 23955-6900, Kingdom of Saudi Arabia について
Fei Zhuping について
Department of Chemistry and Centre for Plastic Electronics, Imperial College London, South Kensington, London SW7 2AZ, United Kingdom について
Heeney Martin について
Department of Chemistry and Centre for Plastic Electronics, Imperial College London, South Kensington, London SW7 2AZ, United Kingdom について
Anthopoulos Thomas D. について
Department of Physics and Centre for Plastic Electronics, Blackett Laboratory, Imperial College London, South Kensington, London SW7 2AZ, United Kingdom について
Applied Physics Letters について
キャリア移動度 について
FET【トランジスタ】 について
MOSFET について
複合構造 について
相補回路 について
特性 について
インバータ について
有機トランジスタ について
金属酸化物半導体型電界効果トランジスタ について
ハイブリッド構造 について
デバイス特性 について
有機化合物の薄膜 について
トランジスタ について
論理回路 について
Vs について
平衡 について
キャリア移動度 について
チャネル について
Nチャネル について
金属酸化物 について
トランジスタ について
相補回路 について