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J-GLOBAL ID：201702251229123219   整理番号：17A0680774

極薄MoS₂トランジスタにおける少量の電子ビーム露光により誘導されたナノスケールバリア形成

Nanoscale-Barrier Formation Induced by Low-Dose Electron-Beam Exposure in Ultrathin MoS₂ Transistors

著者 (13件)： MATSUNAGA Masahiro (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  HIGUCHI Ayaka (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  HE Guanchen (State Univ. New York, New York, USA) ,  YAMADA Tetsushi (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  KRUEGER Peter (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  OCHIAI Yuichi (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  GONG Yongji (Rice Univ., Texas, USA) ,  VAJTAI Robert (Rice Univ., Texas, USA) ,  AJAYAN Pulickel M. (Rice Univ., Texas, USA) ,  BIRD Jonathan P. (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  BIRD Jonathan P. (State Univ. New York, New York, USA) ,  AOKI Nobuyuki (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  AOKI Nobuyuki (JST-PRESTO, Kawaguchi, JPN)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 10  号： 10  ページ： 9730-9737  発行年： 2016年10月 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノエレクトロニクスにおいて,大きなオンオフ比を持つFETの実現の為に単層バンドギャップを持つ原子レべルの厚さのMoS₂は注目されている。本稿では,ナノスケール領域形成により完成したローカルバンドギャップ修正が,電子ビームリソグラフィーによるトランジスタ作成の間に使用した低エネルギー電子ビーム露光に帰する現象と共に,CVD成長単層MoS₂FETsチャネル内で起るのを示した。フォトルミネセンスとRamanスペクトロスコピーを利用する事により,バンドギャップの局所的増加が露光エリア内で確認された。この結果から,電子ビーム露光量に,MoS₂結晶の局所的圧縮歪みを取り入れた。

シソーラス用語： *超薄膜 ,  *硫化モリブデン ,  *トランジスタ ,  *電子ビームリソグラフィー ,  規模 ,  *障害物 ,  電子技術 ,  比率 ,  FET【トランジスタ】 ,  バンドギャップ ,  化学蒸着 ,  光ルミネセンス ,  Raman分光法 ,  歪
準シソーラス用語： *二硫化モリブデン ,  *ナノスケール ,  ナノエレクトロニクス ,  オンオフ比 ,  圧縮歪

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： MoS2 ,  トランジスタ ,  電子ビーム露光 ,  誘導