文献

J-GLOBAL ID：201702251243521217   整理番号：17A0955221

接触抵抗不揮発性メモリセルにおけるセル性能とその初期状態との相関の統計解析

Statistical analysis of the correlations between cell performance and its initial states in contact resistive random access memory cells

著者 (5件)： KAO Yun Feng (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  HSIEH Wei Ting (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHEN Chun Che (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Hsinchu, TWN) ,  KING Ya-Chin (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  LIN Chrong Jung (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 4S  ページ： 04CE08.1-04CE08.4  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 変動性は,大きな抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)アレイの実装における重大な課題の一つである。セット/リセット,読み出しおよび繰り返し特性の大きな変動は,デザインマージンとメモリアレイの実行可能性を大きく低下させる。RRAMセルの特性を予測することは,洞察をもたらし,従ってメモリ動作を調節するために建設的である。本研究では,28nmCMOSロジック技術による接触RRAM(CRRAM)において,セル性能とその初期状態との強い相関を見出した。さらに,セル内の導電性フィラメント(CF)の種類を識別するため,検証-リセット動作を提案した。特有のCRRAM特性は初期CFに直接リンクすることを見出し,かなり大きなCRRAMアレイの大きな変動問題に対応するための,予備スクリーニングと適用リセットを可能にしている。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *接触抵抗 ,  *非揮発性 ,  *記憶素子 ,  論理回路 ,  RAM【メモリ】 ,  変動 ,  *状態 ,  *性能 ,  フィラメント
準シソーラス用語： CMOS論理回路 ,  *初期状態 ,  抵抗ランダムアクセスメモリ ,  導電性フィラメント ,  不揮発性

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (33件)：

• S. Yu and P.-Y. Chen, IEEE Solid-State Circuits Mag. 8 [2], 43 (2016).
• M. Marinella, IEEE Aerospace Conf., 2013, 1.11.
• H.-S. P. Wong, H.-Y. Lee, S. Yu, Y.-S. Chen, Y. Wu, P.-S. Chen, B. Lee, F. T. Chen, and M.-J. Tsai, Proc. IEEE 100, 1951 (2012).
• Y. Wu, B. Lee, and H.-S. P. Wong, VLSI-TSA, 2010, p. 136.
• W. C. Chien, Y. R. Chen, Y. C. Chen, A. T. H. Chuang, F. M. Lee, Y. Y. Lin, E. K. Lai, Y. H. Shih, K. Y. Hsieh, and C.-Y. Lu, IEDM Tech. Dig., 2010, 19.2.1.

タイトルに関連する用語 (6件)： 接触抵抗 ,  不揮発性メモリ ,  セル ,  初期状態 ,  相関 ,  統計解析