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J-GLOBAL ID：201702251272293713   整理番号：17A0934966

電子ビーム蒸着法により作製したテルル化銅薄膜の構造,形態,光学的および電気的特性に及ぼす基板温度の影響【Powered by NICT】

Influence of substrate temperature on the structural, morphological, optical and electrical properties of copper telluride thin films prepared by electron beam evaporation method

著者 (3件)： Bhuvaneswari P.V. (Crystal Growth and Thin Film Laboratory, Department of Physics, Bharathidasan University, Tiruchirappalli 620024, Tamil Nadu, India) ,  Ramamurthi K. (Crystal Growth and Thin Film Laboratory, Department of Physics and Nanotechnology, Faculty of Engineering and Technology, Sri Ramaswamy Memorial University, Kattankulathur 603203, Tamil Nadu, India) ,  Ramesh Babu R. (Crystal Growth and Thin Film Laboratory, Department of Physics, Bharathidasan University, Tiruchirappalli 620024, Tamil Nadu, India)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 632  ページ： 44-49  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： テルル化銅薄膜を,電子ビーム蒸着法を用いて種々の基板温度,すなわち室温,200、300、400および500°Cでガラス基板上に堆積した。テルル化銅膜の物理的性質に及ぼす基板温度の影響を調べた。X線回折パターンは,300°C,400°Cおよび500°Cで堆積した膜は多結晶であることを明らかにした。これらの膜の微結晶寸法,転位密度と微小歪を評価した。走査電子顕微鏡像は,膜の表面形態は基板温度の変化により修飾されることを示した。形状の変化さらに,テルル化銅膜の表面および膜の粗さ上に形成された凝集した微結晶のサイズと分布は原子間力顕微鏡を用いて蒸着温度の関数として調べた。テルル化銅薄膜の直接光学バンドギャップ値は基板温度の変化とともに2.45から2.93eVまで変化した。Hall係数の正の符号は,p型伝導率を示した。500°Cで堆積したテルル化銅膜は比較的低い抵抗率1.36×10~ 3Ωcmを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 走査電子顕微鏡 ,  *基板温度 ,  光学ギャップ ,  微結晶 ,  *電子ビーム蒸着 ,  *薄膜 ,  転位密度 ,  原子間力顕微鏡 ,  X線回折 ,  *電気的性質 ,  多結晶 ,  電気抵抗率
準シソーラス用語： 蒸着温度 ,  微小歪 ,  *銅薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： テルル化銅 ,  薄膜 ,  電子ビーム蒸着 ,  構造特性 ,  光学的性質 ,  電気的性質

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (8件)： 電子ビーム蒸着 ,  作製 ,  テルル ,  銅薄膜 ,  形態 ,  光学 ,  電気的特性 ,  基板温度