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J-GLOBAL ID：201702251296874274   整理番号：17A0406967

イリジウムをドープしたBi_2Se_3トポロジカル絶縁体結晶の構造及び輸送特性【Powered by NICT】

Structural and transport properties of iridium-doped Bi₂Se₃ topological insulator crystals

著者 (8件)： Pu X.Y. (Key Laboratory of Advanced Technology of Materials (Ministry of Education), Superconductor and New Energy R&D Center, Mail Stop 165#, Southwest Jiaotong University, Chengdu, 610031, China) ,  Zhao K. (School of Physical Science and Technology, Southwest Jiaotong University, Chengdu, 610031, China) ,  Liu Y. (Key Laboratory of Advanced Technology of Materials (Ministry of Education), Superconductor and New Energy R&D Center, Mail Stop 165#, Southwest Jiaotong University, Chengdu, 610031, China) ,  Wei Z.T. (Key Laboratory of Advanced Technology of Materials (Ministry of Education), Superconductor and New Energy R&D Center, Mail Stop 165#, Southwest Jiaotong University, Chengdu, 610031, China) ,  Wei Z.T. (Southwest Research Institute of Applied Magnetics, Mianyang, 621000, China) ,  Jin R. (Key Laboratory of Advanced Technology of Materials (Ministry of Education), Superconductor and New Energy R&D Center, Mail Stop 165#, Southwest Jiaotong University, Chengdu, 610031, China) ,  Yang X.S. (Key Laboratory of Advanced Technology of Materials (Ministry of Education), Superconductor and New Energy R&D Center, Mail Stop 165#, Southwest Jiaotong University, Chengdu, 610031, China) ,  Zhao Y. (Key Laboratory of Advanced Technology of Materials (Ministry of Education), Superconductor and New Energy R&D Center, Mail Stop 165#, Southwest Jiaotong University, Chengdu, 610031, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 694  ページ： 272-275  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イリジウムドープBi_2Se_3結晶を自己フラックス法によって調製した。それらの結晶性,形態,Ramanスペクトル,および輸送特性を調べた。得られた結晶は典型的なトポロジカル絶縁体特性を持っている。同じ層状構造は全ての試料で確認された。格子パラメータcは最初減少し,その後Ir含有量の増加と共に増加した。すべての試料は,Ir含有量が増加すると青方偏移の一つとBi_2Se_3の二つの特徴的なRamanピークを示した。磁気抵抗だけでなく,抵抗率は最初に増加し,その後,Ir含有量の増加と共に減少した。ドーピング機構はドープ量が低いときにIr原子は,主にBiサイトを占めていることを考察したが,それらは,より高いドーピング濃度で原子層とvan der Waalsギャップにインターカレーションする傾向があった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 磁気抵抗 ,  層状組織 ,  *ドーピング ,  電気抵抗率 ,  格子定数 ,  *結晶 ,  結晶度 ,  青方偏移 ,  インターカレーション ,  Ramanスペクトル ,  *イリジウム ,  *トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： 原子層 ,  自己フラックス法 ,  *輸送特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： トポロジカル絶縁体 ,  磁気抵抗 ,  構造特性

分類 (2件)： 金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (5件)： イリジウム ,  ドープ ,  トポロジカル絶縁体 ,  結晶 ,  輸送特性