文献

J-GLOBAL ID：201702251320830513   整理番号：17A0965706

28nmポリエッチングの課題と解決策【Powered by NICT】

Challenges and solutions of 28nm poly etching

著者 (8件)： Xiangguo Meng (Shanghai Huali Microelectronics Corporation, China) ,  Lian Lu (Shanghai Huali Microelectronics Corporation, China) ,  Fuhong Chen (Shanghai Huali Microelectronics Corporation, China) ,  Sifei Chan (Shanghai Huali Microelectronics Corporation, China) ,  Quanbo Li (Shanghai Huali Microelectronics Corporation, China) ,  Zhibiao Mao (Shanghai Huali Microelectronics Corporation, China) ,  Yu Zhang (Shanghai Huali Microelectronics Corporation, China) ,  Pang Albert (Shanghai Huali Microelectronics Corporation, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： CSTIC  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 28nmノードのためのゲート形成はLELE(2倍リソグラフィー,2時間エッチプロセス)法,従来のポリLE(Lithoエッチ)プロセスとは異なる。ポリ線とポリLEC(ラインエンドカット)二Lithoエッチプロセス中に形成された。残基と孔食欠陥フリーを達成するために適切なLEC CD(Critical Dimension),一方バランスLEC位置を得るための挑戦大きい。28nmポリLECエッチングの課題と解決策,特にLEC CDと欠陥制御に関する研究を紹介した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： リソグラフィー ,  *エッチング

分類 (1件)： 経営工学一般  (KA01010C)

タイトルに関連する用語 (2件)： エッチング ,  解決策