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J-GLOBAL ID：201702251322792043   整理番号：17A1606773

可視光無照射及び照射下における3層CuAlO_x構造を持つデバイスの抵抗スイッチング特性

Resistive switching characteristics of devices having a trilayer CuAlOx structure in the dark and under visible light illumination

著者 (2件)： LIN Yow-Jon (National Changhua Univ. Education, Changhua, TWN) ,  KE Zun-Yuan (National Changhua Univ. Education, Changhua, TWN)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 19  ページ： 14377-14384  発行年： 2017年10月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： In/CuAlO_1.85/CuAlO_1.92/CuAlO_1.85/高濃度ドープn形Si(n⁺-Si)デバイスの多段階抵抗スイッチング(R_s)特性を可視光無照射及び照射下において研究する。3層デバイスの多段階R_sの伝導機構を提案する。電気輸送測定によって,スイッチング伝導機構は,主に,空間電荷制限電流(SCLC)によって記述されることが分る。無照射のIn/CuAlO_y/CuAlO_x/CuAlO_y/n⁺-Siデバイスは,R_s挙動を示すが,一方,可視光照射下のIn/CuAlO_y/CuAlO_x/CuAlO_y/n⁺-Siデバイスは,セット/リセット-フリー特性とヒステリシスウインドウ欠如を示す。良く知られているように,酸化膜中の酸素空孔(V_O)は,主たる電荷キャリアタイプでなくても,その電気特性に大きく影響する。R_s挙動,V_O状態の電荷変化及びV_O移動間の関係を研究することは,n形CuAlO_x系デバイスのR_s機構及び伝導チャネルの性質を明らかにする効果的な方法である。可視光照射下でのIn/CuAlO_y/CuAlO_x/CuAlO_y/n⁺-Siデバイスにおける大幅なR_s劣化を記述するために,V_O-太陽光照射相互作用を提案する。可視光照射下でR_s挙動が消滅することをV_O状態の電荷変化に起因させる。この発見は,物理機構をより良く理解する助けとなるだけでなく,将来,セル設計と最適化の利益となる。

シソーラス用語： *半導体集積回路 ,  *スイッチング ,  *電気抵抗 ,  酸化物 ,  銅化合物 ,  アルミニウム化合物 ,  可視光 ,  X線回折 ,  X線光電子分光法 ,  電流電圧特性 ,  電気伝導 ,  空間電荷制限電流 ,  空格子点
準シソーラス用語： 酸素空孔 ,  抵抗スイッチング

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (2件)： 可視光 ,  スイッチング特性