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J-GLOBAL ID:201702251323298595   整理番号:17A0633060

半導体メタ表面をベースにした完全光吸収材

Semiconductor meta-surface based perfect light absorber
著者 (7件):
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巻: 28  号: 16  ページ: 165202,1-7  発行年: 2017年04月21日 
JST資料番号: W0108A  ISSN: 0957-4484  CODEN: NNOTER  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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この論文では,シリコン膜と不透明銀基板上のシリコンパッチアレイからなる半導体メタ表面光吸収材を,数値的に提案し,実証した。吸収材料は,高屈折率誘電体と金属膜から構成されている。そのため,シリコンパッチのMie共鳴と超薄膜シリコン膜のキャビティの基底モードが入射光場と強く結合し,多バンド完全吸収を生じる。最大吸収率は99.5%以上であり,吸収は偏光には依存しない。さらに,構造パラメータを調整することにより,周波数領域における吸収特性をスケーラブルにできる。これらの特性は,ホットエレクトロン励起や光検出などのオプトエレクトロニクスでの幅広い応用の吸収プラットホームとなる。
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分類 (2件):
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半導体薄膜  ,  光物性一般 
タイトルに関連する用語 (2件):
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