文献

J-GLOBAL ID：201702251400581855   整理番号：17A0557737

溶液成長Zn_1-xCr_xSe薄膜における電気伝導の組成依存性:相関

Compositional dependence of electrical conduction in solution grown Zn_1-xCr_xSe thin films: a correlation

著者 (11件)： DESHMUKH S.L. (Solapur Univ., Maharashtra, IND) ,  PINGALE P.C. (Solapur Univ., Maharashtra, IND) ,  CHAVAN G.T. (Solapur Univ., Maharashtra, IND) ,  PAWAR S.T. (Solapur Univ., Maharashtra, IND) ,  PRAKSHALE V.M. (Solapur Univ., Maharashtra, IND) ,  KAMBLE S.S. (Solapur Univ., Maharashtra, IND) ,  JADKAR S.R. (Savitribai Phule Pune Univ., Maharashtra, IND) ,  CHAURE N.B. (Savitribai Phule Pune Univ., Maharashtra, IND) ,  GOPINATH C.S. (National Chemical Lab., Maharashtra, IND) ,  MALDAR N.N. (Solapur Univ., Maharashtra, IND) ,  DESHMUKH L.P. (Solapur Univ., Maharashtra, IND)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 6  ページ： 5070-5074  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： セレン化亜鉛(ZnSe)は,ウインドウ応用に適した2.7eVの典型的バンドギャップを持つ。液相化学浴堆積によって,ZnSe及びZn_1-xCr_xSe薄膜をガラス基板上に堆積することに成功した。Zn_1-xCr_xSe薄膜層の形成をエネルギー分散X線分光分析(EDS)及びX線光電子分光法(XPS)によって確認した。Cr³⁺は,ZnSe格子のZn²⁺を置換する。XPS研究から,Zn,Cr及びSeの化学状態は,それぞれ,2⁺,3⁺及び2^-であることが示唆された。活性化エネルギーの減少は,電気伝導率の増加とドーパント添加による電子の付加的供給に起因する。Zn_1-xCr_xSe(0≦x≦0.35)薄膜のHall係数が負であることは,n形伝導を示唆した。一般的に,ZnSeへのCr³⁺の導入は,電気特性を大きく修整した。

シソーラス用語： *セレン化物 ,  亜鉛化合物 ,  クロム化合物 ,  半導体薄膜 ,  溶液成長 ,  *電気伝導 ,  *組成 ,  依存性 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  X線光電子分光法 ,  Hall効果 ,  温度依存性 ,  活性化エネルギー ,  バンドギャップ

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 溶液成長 ,  薄膜 ,  電気伝導 ,  組成依存性 ,  相関