文献

J-GLOBAL ID：201702251464296491   整理番号：17A1170516

太陽電池応用のためのGaAsSb/InAs/(In)GaAs II型量子ドット【Powered by NICT】

GaAsSb/InAs/(In)GaAs type II quantum dots for solar cell applications

著者 (7件)： Vyskocil Jan (Institute of Physics CAS, v. v. i., Cukrovarnicka 10, 162 00 Prague 6, Czech Republic) ,  Hospodkova Alice (Institute of Physics CAS, v. v. i., Cukrovarnicka 10, 162 00 Prague 6, Czech Republic) ,  Petricek Otto (Institute of Physics CAS, v. v. i., Cukrovarnicka 10, 162 00 Prague 6, Czech Republic) ,  Pangrac Jiri (Institute of Physics CAS, v. v. i., Cukrovarnicka 10, 162 00 Prague 6, Czech Republic) ,  Zikova Marketa (Institute of Physics CAS, v. v. i., Cukrovarnicka 10, 162 00 Prague 6, Czech Republic) ,  Oswald Jiri (Institute of Physics CAS, v. v. i., Cukrovarnicka 10, 162 00 Prague 6, Czech Republic) ,  Vetushka Aliaksei (Institute of Physics CAS, v. v. i., Cukrovarnicka 10, 162 00 Prague 6, Czech Republic)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 464  ページ： 64-68  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： QD太陽電池構造におけるキャリア抽出速度を増加する目的でInAs/GaAs量子ドット(QD)の適切な基礎となると被覆層の設計に焦点を当てた。タイプIIのバンド整列をしたGaAsSb歪低減層(SRL)によるQDをカバーするInAs量子ドットからの光生成キャリア抽出を著しく改善した。InAs QD下に付加的な薄いInGaAs SRLは,光生成キャリアの抽出を促進した。持たないQD構造,SRLをカバーするGaAsSb,SRLを覆う薄い以下QD InGaAsとGaAsSbの組合せの特性を比較し,キャリア抽出の機構を考察した。被覆GaAsSb SRL中のアンチモン濃度のプロファイル増加と共に薄い以下QD InGaAs SRLはInAs量子ドットをもつ太陽電池構造の得られた特性を大幅に改善できることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ヒ化ガリウムインジウム ,  *ヒ化インジウム ,  *太陽電池 ,  被覆 ,  *ヒ化ガリウム ,  *量子ドット ,  アンチモン ,  被覆層 ,  光生成 ,  抽出速度 ,  アラインメント
準シソーラス用語： InAs量子ドット ,  *ヒ化アンチモン化ガリウム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： InAs ,  GaAsSb ,  InGaAs ,  量子ドット ,  太陽電池

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 太陽電池 ,  応用 ,  GaAsSb ,  InAs ,  GaAs ,  量子ドット