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J-GLOBAL ID:201702251472095442   整理番号:17A0449543

非平面薄膜銅インジウムガリウムセレニド太陽光発電のための光子とキャリア管理設計【Powered by NICT】

Photon and carrier management design for nonplanar thin-film copper indium gallium selenide photovoltaics
著者 (10件):
資料名:
巻: 161  ページ: 149-156  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0513C  ISSN: 0927-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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非平面構造光起電力吸収体設計は有意に低減した材料を用いた高い太陽電池効率を達成する可能性がある。薄膜Cu(In_xGa_1x)Se_2(CIGS)素子性能の改善のための光子,発生したキャリア管理の機会を強調するオプトエレクトロニクスシミュレーションを報告した。ナノインプリントリソグラフィーを介して自己集合あるいはパターン形成,及び両者の組合せにより実現構造は短絡電流密度と開回路電圧の有意な増加を同時に示すことが予測される。研究した構造は1)入射光を散乱し,高電位域付近のキャリア生成を強く増強させることが自己組織化非平面構造,2)リソグラフィーパターン形成埋め込み周期誘電体構造,3)光学的および電子的損失を最小化する小面積接触によるモリブデン背面接触からCIGS吸収体を分離する平面誘電体層,4)併用効果のためのこれらの組み合わせ。700nm平面等価厚さ,収率誘電分離層と組み合わせたを有する自己組織化非平面CIGSセルは3.4mAcm~ 2および29mVまで短絡電流密度と開回路電圧の増加することを見出した。絶対効率は15.4%から18.1%まで増加し,等価厚さの平面CIGS薄膜太陽電池の予測効率と比較した。単層MgF_2反射防止コーティングの添加は,ランダムに集合組織化したデバイスのための19.7%まで最大予測効率をもたらした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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太陽電池 

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