文献

J-GLOBAL ID：201702251967031289   整理番号：17A0634905

高濃度ドープn⁺型及びp⁺型シリコン中に注入されたCoの格子位置

Lattice location of implanted Co in heavily doped n⁺- and p⁺-type silicon

著者 (8件)： DA SILVA Daniel Jose (Universidade do Porto, Porto, PRT) ,  DA SILVA Daniel Jose (KU Leuven, Leuven, BEL) ,  WAHL Ulrich (Universidade de Lisboa, Bobadela, PRT) ,  CORREIA Joao Guilherme (Universidade de Lisboa, Bobadela, PRT) ,  AMORIM Ligia Marina (KU Leuven, Leuven, BEL) ,  DA SILVA Manuel Ribeiro (Universidade de Lisboa, Lisboa, PRT) ,  DA COSTA PEREIRA Lino Miguel (KU Leuven, Leuven, BEL) ,  ARAUJO Joao Pedro (Universidade do Porto, Porto, PRT)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 123  号： 4  ページ： 286,1-8  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n⁺型及びp⁺型シリコン中に注入されたCoの格子位置をβ^-放射チャネリングによって調べた。理想的な置換型(S)サイト,結合中心(BC)サイトからずれたサイト(近BC)及び四面体格子間サイトからずれた(近T)サイトを同定した。それぞれのサイトの分率は,シリコン材料のドーピングレベルによって変化した。また格子間Coの挙動は顕著に変化し,電気特性への手掛かりを与えた。高濃度p⁺型シリコンでは,Tサイト近くの格子間Coが大部分であり,これは深いドナー準位が存在して,Fermi準位が価電子帯に近いときはCo_iを正に帯電させ,イオン化したBアクセプタとともにCo⁺B^-を形成するという直接証拠を与えた。他方,Coの深いアクセプタ準位が,その格子サイト分布に関して大きな役割を演ずるという証拠は見出さなかった。高濃度ドープn⁺型及びp⁺型シリコン中に打ち込まれたCoの格子間位置の割合は決して約35%を越えなかった。高濃度ドープn⁺型及びp⁺型シリコン中のCoは約800°Cのアニールで拡散が開始するのに対し,低濃度ドープn-Si中のそれは850°Cでも動かなかった。従って注入されたCoをゲッタするには低濃度ドープn領域を用いるのが良いことを意味しよう。

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *N型半導体 ,  *P型半導体 ,  不純物分布 ,  *コバルト ,  *イオン注入 ,  格子間原子 ,  置換型原子 ,  *不純物準位 ,  不純物拡散 ,  *点欠陥 ,  核変換 ,  マンガン ,  放射性同位体 ,  ドーピング ,  *βマイナス崩壊
準シソーラス用語： ドナー準位 ,  アクセプタ準位

分類 (4件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  無機物質中の元素の放射化学的分析  (CC06022C)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高濃度 ,  ドープ ,  シリコン ,  注入 ,  CO ,  格子