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J-GLOBAL ID：201702252010154401   整理番号：17A0375005

酸化Ni/Au Schottky電極を用いたp型材料を使わずにつくられたGaInN/GaN太陽電池【Powered by NICT】

GaInN/GaN solar cells made without p-type material using oxidized Ni/Au Schottky electrodes

著者 (7件)： Chern Kevin T. (Department of Electrical and Computer Engineering, Virginia Tech, Blacksburg, VA 24061, USA) ,  Allen Noah P. (Department of Electrical and Computer Engineering, Virginia Tech, Blacksburg, VA 24061, USA) ,  Ciarkowski Timothy A. (Department of Materials Science and Engineering, Virginia Tech, Blacksburg, VA 24061, USA) ,  Laboutin Oleg A. (IQE KC, Taunton, MA 02780, USA) ,  Welser Roger E. (Magnolia Solar, Inc., Woburn, MA 01801, USA) ,  Guido Louis J. (Department of Electrical and Computer Engineering, Virginia Tech, Blacksburg, VA 24061, USA) ,  Guido Louis J. (Department of Materials Science and Engineering, Virginia Tech, Blacksburg, VA 24061, USA)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 55  ページ： 2-6  発行年： 2016年
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p型材料無しで作製したGaInN/GaN太陽電池は,光生成キャリア収集のための酸化したNi/Au Schottky障壁設計を用いて実証した。最良のデバイスはAM0(Sun)照射下で0.4Vの開回路電圧と短絡電流密度0.065mA~2を示した。予備的計算機シミュレーションは実験結果と良く一致したが,反復再設計と試験によるデバイス性能を改善するための経路を与えた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 再設計 ,  *窒化ガリウム ,  *太陽電池 ,  光生成 ,  計算機シミュレーション ,  *酸化
準シソーラス用語： 短絡電流密度 ,  開回路電圧 ,  キャリア収集 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ガリウムインジウム窒化物 ,  Heterojunctions ,  量子井戸 ,  光起電素子 ,  太陽電池

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： 酸化 ,  Ni ,  Au ,  型材料 ,  GaN ,  太陽電池