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J-GLOBAL ID：201702252094495430   整理番号：17A1521366

一種の中電圧高出力IGBTモジュールの挙動モデル【JST・京大機械翻訳】

The Medium-Voltage High Power IGBT Module Behavior Model

著者 (4件)： Chen Yulin (海軍工程大学艦船綜合電力技術国防科技重点実験室武漢 430033) ,  Sun Chi (海軍工程大学艦船綜合電力技術国防科技重点実験室武漢 430033) ,  Ai Sheng (海軍工程大学艦船綜合電力技術国防科技重点実験室武漢 430033) ,  Hu Liangdeng (海軍工程大学艦船綜合電力技術国防科技重点実験室武漢 430033)
資料名： Diangong Jishu Xuebao  (Diangong Jishu Xuebao)
巻： 32  号： 4  ページ： 25-34  発行年： 2017年 
JST資料番号： C2502A  ISSN： 1000-6753  CODEN： DIJXE5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 現在、すでにある電界停止型絶縁ゲート双極性トランジスタ(IGBT)の動作モデル及びシミュレーションソフトにおけるIGBTモデルは、中電圧高電力IGBTモジュールに対して特別に構築されておらず、中小電力IGBTの挙動特性を正確にシミュレーションすることができない。既存の挙動モデルに基づいて,IGBTベースのメモリ電荷によって引き起こされる等価静電容量とモジュール結合の結合によって引き起こされる寄生インダクタンスを提案して,逆並列PINダイオードの挙動モデルを考慮して,完全な中電圧高電力IGBTモジュールの挙動モデルを実現した。同時に,新しい方法を提案して,モデルのパラメータを抽出するために,モデルの完全なスイッチング過程における典型的な挙動とモデルパラメータの間の関係を定量的に分析した。最後に,Pspice環境において3.3kV/1.5kAのIGBTの動作モデルを実現し,Buck回路におけるシミュレーションと実験波形の比較により,このモデルの実現可能性と有効性を証明した。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 静電容量 ,  電力 ,  *IGBT ,  記憶装置 ,  電場 ,  PINダイオード ,  *モデル ,  電荷 ,  スイッチング
準シソーラス用語： 寄生インダクタンス ,  高電力 ,  動作モデル ,  *挙動モデル ,  *高出力 ,  *中電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Medium-voltage high power ,  insulated gate bipolar transistor ,  behavior model ,  dynamic characteristics

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 中電圧 ,  高出力 ,  IGBT ,  モジュール ,  挙動モデル