文献

J-GLOBAL ID：201702252169563661   整理番号：17A0996389

新しい立方晶相SnSeの熱電特性の研究:熱電応用のための有望な材料【Powered by NICT】

Investigation of thermoelectric properties of novel cubic phase SnSe: A promising material for thermoelectric applications

著者 (8件)： Butt Faheem K. (Department of Physics, The University of Lahore, 1-Km Raiwind Road, Lahore, 53700, Pakistan) ,  Butt Faheem K. (Energy Conversion and Storage - ECS, Physik-Department, Technische Universitaet Muenchen, James-Franck-Strasse 1, 85748, Garching, Germany) ,  Ul Haq Bakhtiar (Advanced Functional Materials & Optoelectronics Laboratory (AFMOL), Department of Physics, Faculty of Science, King Khalid University, P.O. Box 9004, Abha, Saudi Arabia) ,  ur Rehman Sajid (Department of Physics, The University of Lahore, 1-Km Raiwind Road, Lahore, 53700, Pakistan) ,  Ahmed R. (Department of Physics, Faculty of Science, Universiti Teknologi Malaysia, UTM, Skudai, 81310, Johor, Malaysia) ,  Ahmed R. (Centre for High Energy Physics, University of the Punjab, Lahore, Pakistan) ,  Cao Chuanbao (Research Centre of Materials Science, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, People’s Republic of China) ,  AlFaifi S. (Advanced Functional Materials & Optoelectronics Laboratory (AFMOL), Department of Physics, Faculty of Science, King Khalid University, P.O. Box 9004, Abha, Saudi Arabia)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 715  ページ： 438-444  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 狭いバンドギャップとフォノン抑制効果を持つ新しい立方晶構造SnSe(π SnSe)は将来の応用の展望エネルギー貯蔵材料と考えられている。本研究では,密度汎関数理論の枠組みでπSnSeの熱電特性を調査し,その種の最初の報告であると信じられている。熱電特性の計算のための前提条件として,πSnSeの電子構造は変更されたBecke-Johnsonポテンシャルのレベルで決定した。大きさ0.97eVの計算したバンドギャップは,エネルギーバンドギャップの最近報告された実験結果と良く一致することが分かった。電気伝導率(σ/τ)のための著者らの計算は,最高値はn型ドーピングのためのp型ドーピングと1.54×10~20/Ωms3.6×10~19/Ωmsに適度なドーピングレベルの大きさで起こることを示し,温度の上昇と共に直線的に減少することが分かった。同様に,それはπSnSeは低温で高いSeebeck係数を示し,200~900Kの範囲の温度の上昇と共に2292μK/444.3VμK/Vのスパンの急激な劣化を観察し,それぞれことが分かった。結果として,熱電能因子(PF)と性能指数(ZT)の値の顕著な減少も温度の上昇と共に観察された。PFの最大値は200Kで8.77×10~10mK~2秒であることを記録された。~1の例外的に高いと記録ZT値は200Kで斜方晶構造SnSe(多結晶とバルク)より優れているで得られた。従って著者らの研究は,広範囲な運転温度デバイスのための次世代熱電材料のための手段として立方晶相SnSeを指摘した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電子構造 ,  性能指数 ,  電気伝導率 ,  熱電材料 ,  エネルギー貯蔵 ,  斜方晶系 ,  *バンドギャップ ,  密度汎関数法 ,  多結晶 ,  フォノン
準シソーラス用語： 熱電能 ,  Seebeck係数 ,  p型ドーピング ,  n型ドーピング ,  *熱電特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Semiconductors ,  立方晶SnSe ,  熱電特性 ,  電子的性質 ,  エネルギー材料

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  金属系の相平衡・状態図  (CB03012T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 立方晶 ,  熱電特性 ,  研究 ,  応用