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J-GLOBAL ID：201702252376002026   整理番号：17A0496547

アニーリング後処理によるZnOポーラス薄膜の可視光応答強化

Enhanced visible light response of ZnO porous thin film by post-annealing treatment

著者 (9件)： LV Jianguo (Hefei Normal Univ., Hefei, CHN) ,  WANG Wenhao (Hefei Normal Univ., Hefei, CHN) ,  ZHAO Min (Hefei Normal Univ., Hefei, CHN) ,  ZHU Weili (Hefei Normal Univ., Hefei, CHN) ,  CHENG Yuebing (Hefei Normal Univ., Hefei, CHN) ,  HE Gang (Anhui Univ., Hefei, CHN) ,  ZHANG Miao (Anhui Univ., Hefei, CHN) ,  CHEN Xiaoshuang (Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN) ,  SUN Zhaoqi (Anhui Univ., Hefei, CHN)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 5  ページ： 4051-4057  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnOはワイドバンドギャップ半導体として重要で多方面で使われているが,表面で発生する光誘起の電子正孔対の速い再結合,可視光応答の悪さ,光腐食が光触媒や光起電素子への適用を妨げている。本稿は,ZnOの光応答を改善する低コストで無毒な方法を報告する。水溶液中の電着で合成したZnO薄膜をアニール処理でポーラスのウルツ鉱構造を得た。薄膜の結晶品質を表すZnO薄膜のE₂モード強度はアニーリング温度を高めると増加した。アニーリング温度は光学バンドギャップと欠陥濃度に強く影響する。光応答を0Vバイアスポテンシャルの電気化学ワークステーションで調べた。400°Cアニールした薄膜の光電流密度(~258μA/cm²)はデポジット後薄膜(~14μA/cm²)よりも18倍大きい。400°Cアニールでの光電流増加は,可視光吸収,ポーラス表面モルフォロジ,酸素欠陥の増加との類似効果による。

シソーラス用語： *薄膜 ,  酸化亜鉛 ,  *焼なまし ,  電着 ,  応答 ,  化合物半導体 ,  電子正孔対 ,  再結合 ,  光触媒 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  光学ギャップ ,  モルフォロジー ,  表面構造 ,  点欠陥 ,  画像 ,  スペクトル ,  紫外可視吸収スペクトル
準シソーラス用語： PLスペクトル ,  SEM画像 ,  UV-Vis吸収スペクトル ,  *ZnO薄膜 ,  アニーリング処理 ,  ウルツ鉱構造 ,  ワイドバンドギャップ半導体 ,  *光応答 ,  光学バンドギャップ ,  酸素欠陥 ,  表面モルフォロジー

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： アニーリング ,  ZnO ,  ポーラス ,  薄膜 ,  可視光 ,  応答 ,  強化