LV Jianguo について
Hefei Normal Univ., Hefei, CHN について
WANG Wenhao について
Hefei Normal Univ., Hefei, CHN について
ZHAO Min について
Hefei Normal Univ., Hefei, CHN について
ZHU Weili について
Hefei Normal Univ., Hefei, CHN について
CHENG Yuebing について
Hefei Normal Univ., Hefei, CHN について
HE Gang について
Anhui Univ., Hefei, CHN について
ZHANG Miao について
Anhui Univ., Hefei, CHN について
CHEN Xiaoshuang について
Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN について
SUN Zhaoqi について
Anhui Univ., Hefei, CHN について
Journal of Materials Science. Materials in Electronics について
薄膜 について
酸化亜鉛 について
焼なまし について
電着 について
応答 について
化合物半導体 について
電子正孔対 について
再結合 について
光触媒 について
ウルツ鉱型結晶 について
光学ギャップ について
モルフォロジー について
表面構造 について
点欠陥 について
画像 について
スペクトル について
紫外可視吸収スペクトル について
PLスペクトル について
SEM画像 について
UV-Vis吸収スペクトル について
ZnO薄膜 について
アニーリング処理 について
ウルツ鉱構造 について
ワイドバンドギャップ半導体 について
光応答 について
光学バンドギャップ について
酸素欠陥 について
表面モルフォロジー について
半導体薄膜 について
アニーリング について
ZnO について
ポーラス について
薄膜 について
可視光 について
応答 について
強化 について