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J-GLOBAL ID：201702252441674114   整理番号：17A1092068

Cu(In,Ga)Se_2とCuGaSe_2太陽電池上のZnO表面電極層のスパッタリング蒸着条件の影響の比較研究【Powered by NICT】

A comparative study of the effects of sputtering deposition conditions for ZnO surface electrode layers on Cu(In,Ga)Se₂ and CuGaSe₂ solar cells

著者 (3件)： Ishizuka Shogo (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Fons Paul J. (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Shibata Hajime (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 633  ページ： 49-54  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポストp-n接合形成過程,すなわちCu(In,Ga)Se_2(CIGS)とCuGaSe_2(CGS)太陽電池デバイス特性への透明導電性酸化物(TCO)層堆積条件の影響を比較研究した。CIGSデバイスは,TCO層蒸着中の酸素と熱の存在に比較的鈍感であることが分かった,一方CGS素子は酸素と熱に非常に敏感であり,それらの存在下でのデバイス性能の劣化をもたらした。80°Cの比較的低いTCO堆積温度(T,S)の使用は,T s 180°Cの場合と比較してCGSデバイスの曲線因子値の有意な改善をもたらし,開回路電圧は低下した。これらの結果は,TCO堆積条件を三元CGS太陽電池デバイス特性に決定的に影響する重要なパラメータであることを示唆した。,CGSデバイスのためのTCO層堆積条件は,従来のナローギャップCIGSデバイスのそれとは無関係に最適化されるべきであることを示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *スパッタ蒸着 ,  *蒸着 ,  *太陽電池 ,  最適化 ,  酸素 ,  *酸化亜鉛
準シソーラス用語： 開回路電圧 ,  曲線因子 ,  セレン化ガリウムインジウム銅 ,  透明導電性酸化物 ,  デバイス特性 ,  *表面電極 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 銅インジウムガリウムセレニド ,  銅セレン化ガリウム ,  ワイドギャップ黄銅鉱 ,  太陽電池 ,  インタフェイス

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： Cu ,  Ga ,  太陽電池 ,  ZnO ,  表面電極 ,  スパッタリング蒸着 ,  研究