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J-GLOBAL ID:201702252511486533   整理番号:17A1627208

単結晶βZn_4Sb_3の熱安定性と電気輸送特性に及ぼすドープしたPbの影響【Powered by NICT】

Effect of Pb doped on thermal stability and electrical transport properties of single crystalline β-Zn4Sb3
著者 (7件):
資料名:
巻: 526  ページ: 155-159  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0676B  ISSN: 0921-4526  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,単結晶βZn_4Sb_3の熱安定性と電気輸送特性に及ぼすPbドーピングの効果,Zn_4 Sb_3Pb_Sn_3(x=0~0,0.2,0.4,0.6および0.8)の初期化学量論比に基づいて調製を報告した。全ての試料は金属光沢表面を有し,欠陥と細孔をなかった。TG-DSCの結果によれば,Pbドープ試料は優れた熱安定性を示すことが分かった。試料の電気輸送特性はPbドーピングによって最適化した。全ての試料の中でキャリア濃度が4.88×10~19から14.29×10~19cm~ 3に変化させたp型伝導を示し,キャリア移動度は室温で31.1から66.4cm~2V~ 1秒~ 1変化した。Pb初期含有量の増加に伴って,Seebeck係数は増加し,電気伝導率は減少した。Pb初期含有量x=0.6の試料は優れた電気特性を示し,390Kで1.69×10~ 3Wm~ 1K~ 2の最大力率を得た。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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半導体結晶の電気伝導 
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