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J-GLOBAL ID：201702252515991364   整理番号：17A0443956

バンドギャップ調整可能な半導性非晶質Cd Ga-O薄膜のキャリア輸送特性に及ぼす真空アニーリングの効果【Powered by NICT】

Effects of vacuum annealing on carrier transport properties of band gap-tunable semiconducting amorphous Cd-Ga-O thin films

著者 (4件)： Sato Chiyuki (Interdisciplinary Graduate School of Medicine and Engineering, University of Yamanashi, 4-4-37 Takeda, Kofu, Yamanashi 400-8510, Japan) ,  Kimura Yota (Interdisciplinary Graduate School of Medicine and Engineering, University of Yamanashi, 4-4-37 Takeda, Kofu, Yamanashi 400-8510, Japan) ,  Yanagi Hiroshi (Interdisciplinary Graduate School of Medicine and Engineering, University of Yamanashi, 4-4-37 Takeda, Kofu, Yamanashi 400-8510, Japan) ,  Yanagi Hiroshi (Graduate Faculty of Interdisciplinary Research, University of Yamanashi, 4-4-37 Takeda, Kofu, Yamanashi 400-8510, Japan)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 624  ページ： 29-33  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 調整可能なバンドギャップを有する非晶質酸化物半導体Cd Ga O系に及ぼす真空焼なましの影響を調べた。がCd濃度約70%の膜のXRDパターンにおける非晶質ハローピークは温度≧200°Cでのアニーリング後,尖鋭化を開始した。対照的に,Cd含有量~50%と~20%の膜は700°Cまでのアニーリング温度で結晶化しなかった。~70%と~50%膜のキャリア濃度とH all移動度は400°Cと500°Cでアニールすることによって最大化され,それぞれ,蒸着したままの膜の特性,堆積チャンバの残留水蒸気圧のような蒸着条件の意図しない変化のために変化させた,とは無関係であった。~20%膜の初期電気伝導率は<10~ 8~11s cm~ 1に広く,500°Cでのアニーリングは絶縁堆積したままの膜からの導電性膜を得るために必要であった。~70%と~50%膜のCd含有量の膜で最大H all移動度は≧10cm~2V~ 1s~ 1であったと~20%Cd含有量の膜では≧3cm~2V~ 1s~ 1であった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *カドミウム ,  *半導性 ,  キャリア密度 ,  *焼なまし ,  蒸着 ,  X線回折 ,  *非晶質 ,  移動度 ,  電気伝導率 ,  *バンドギャップ
準シソーラス用語： 導電膜 ,  アニーリング温度 ,  真空焼なまし ,  酸化物半導体 ,  *キャリア輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 真空アニーリング ,  非晶質酸化物半導体 ,  調整可能なバンドギャップ

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (11件)： バンド ,  ギャップ調整 ,  半導性 ,  非晶質 ,  Cd ,  Ga ,  薄膜 ,  キャリア ,  輸送特性 ,  真空 ,  アニーリング