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J-GLOBAL ID：201702252530463370   整理番号：17A1498679

RFマグネトロンスパッタリングで蒸着したAlドープZnO薄膜の物理的性質に及ぼすArイオンビーム援助と基板温度の影響【Powered by NICT】

Effect of Ar ion-beam-assistance and substrate temperature on physical properties of Al-doped ZnO thin films deposited by RF magnetron sputtering

著者 (4件)： Sreedhar Adem (Department of Physics, Yeungnam University, 214-1 Dae-dong, Gyeongsan 712-749, Republic of Korea) ,  Kwon Jin Hyuk (Department of Physics, Yeungnam University, 214-1 Dae-dong, Gyeongsan 712-749, Republic of Korea) ,  Yi Jonghoon (Department of Physics, Yeungnam University, 214-1 Dae-dong, Gyeongsan 712-749, Republic of Korea) ,  Gwag Jin Seog (Department of Physics, Yeungnam University, 214-1 Dae-dong, Gyeongsan 712-749, Republic of Korea)
資料名： Materials Research Bulletin  (Materials Research Bulletin)
巻： 95  ページ： 451-458  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0954A  ISSN： 0025-5408  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,イオンビーム支援と基板温度の顕著な影響は,RFマグネトロンスパッタリング法により蒸着したAlドープZnO薄膜の物理的性質を調べることにより明らかにした。ここでは,二つの測定パラメータ,イオンビーム放電電流(0.1A)と基板温度(303 473K)を採用して,AlドープZnO膜の構造変化を調節した。具体的には,進行性構造変化は膜成長中のArイオンビームの添加に基づいて達成した。XRD解析から,c軸(002)面への膜成長が向上していることが顕著な構造変化を観察した。さらに,FESEMとA FM支援Arイオンビームと実証された優れた表面特性を解析した。このプロセスの結果として,Znの2p準位の結合エネルギーを変調した。最後に,構造研究は,支援イオンビームと基板温度の依存性は優れた可視光透過率と減少したバンドギャップに直線的に関連していることを実証する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *アルゴン ,  可視光 ,  *スパッタリング ,  表面性状 ,  *イオンビーム ,  透過率 ,  薄膜成長 ,  *亜鉛 ,  *基板温度 ,  バンドギャップ ,  X線回折 ,  *薄膜 ,  結合エネルギー
準シソーラス用語： 構造変化 ,  *RFマグネトロンスパッタリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： A薄膜 ,  Bスパッタリング ,  C.原子間力顕微鏡観察 ,  D結晶構造

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (9件)： RFマグネトロンスパッタリング ,  蒸着 ,  AlドープZnO ,  薄膜 ,  物理的性質 ,  Arイオン ,  ビーム ,  援助 ,  基板温度