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J-GLOBAL ID:201702252550400837   整理番号:17A0408131

電離放射線曝露は高分子/フラーレン太陽電池における精製ドメインの不安定性を明らかにする【Powered by NICT】

Ionizing radiation exposure reveals instability of purified domains in polymer/fullerene solar cells
著者 (3件):
資料名:
巻: 160  ページ: 85-93  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0513C  ISSN: 0927-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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共役重合体とフラーレンブレンドに基づく太陽電池は電離放射線曝露に対する形態依存安定性を示した。ポリ(3 ヘキシルチオフェン)(P3HT)と[6,6]-フェニルC_60酪酸メチルエステル(PCBM)のブレンド薄膜太陽電池はX線(10 60KeV)1mradまで照射し,共鳴Ramanおよび光電流/光電圧変調分光法とイメージングを用いて調べた。バルクブレンドのモルフォロジー特性を膜処理条件(すなわち,溶媒と熱アニーリング)を制御することによって予備選択した。十分に混合した相の大部分を鋳造したままのP3HT/PCBMデバイスは照射後焼なまし処理の適用で性能の改善を示した。一方,照射前にアニールしたデバイスは,曝露後のアニーリング処理後に回復できない不可逆性能劣化を示した。1mradまでの照射後のない共鳴Raman分光法とイメージングは,両方のタイプの装置のためのP3HT構造と充填の完全性の実質的変化を明らかにした。強度変調光電流/光起電力分光法測定は,放射線誘起性能劣化はデバイス接触の近傍,電荷抽出速度の大きな変化から明らかに集中していることを示した。アルミニウム陰極からの電荷移動は,より大きな相精製(すなわち,陰極近傍における大きなPCBM結晶)を備えた素子においてより顕著になる空間電荷領域の形成をもたらすことを提案した。重要なことに,照射後焼なまし処理の適用は,元のレベルにデバイス性能を回復させるため,鋳造したままの素子でより豊富な,良く混合されたP3HT/PCBM領域は放射線誘起性能劣化を緩和するように見える。著者らの結果は,高分子/フラーレン系形成共結晶のような,より大きな形態学的安定性は電離放射線曝露による性能損失を抑制するために重要であることを示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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太陽電池 

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