文献

J-GLOBAL ID：201702252569242125   整理番号：17A1488495

Li-N同時ドープした多結晶ZnO薄膜トランジスタの電気的特性に及ぼすアニーリング温度の影響【Powered by NICT】

Effects of annealing temperature on the electrical characteristics of Li-N co-doped polycrystalline ZnO thin film transistors

著者 (6件)： Tian Longjie (Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, China) ,  Zhou Dongzhan (Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, China) ,  Zhou Dongzhan (China Building Materials Academy, Beijing 100024, China) ,  Ma Yaobin (Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, China) ,  Zhang Xiqing (Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, China) ,  Wang Yongsheng (Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, China)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 109  ページ： 279-285  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (ZnO:(Li,N))Li N共添ZnOの電気的特性に及ぼすアニーリング温度の効果薄膜トランジスタ(TFT)を本論文で研究した。ZnO:(Li,N)活性層を高周波マグネトロンスパッタリングによりSiO_2/p型Si基板上に堆積した。熱アニーリング処理後,ZnO:(Li,N)の膜は可視領域で85%以上の平均透過率を示した。添加では,ZnO:(Li,N)膜の微細構造と形態をX線回折と走査電子顕微鏡で調べ,多結晶性と粒径を確認した。アニーリング温度により誘起された電気的特性転移に対する機構も提案した。最後に,活性層としてスパッタしたZnO:(Li,N)を組み込んだ薄膜トランジスタは優れた性能を示した。具体的には,33.6cm~/vs, 6Vのしきい値電圧と大きなオン/オフ電流比1.1×10の高い飽和移動度は~8であった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  X線回折 ,  活性層 ,  *薄膜トランジスタ ,  走査電子顕微鏡 ,  *ドーピング ,  移動度 ,  透過率 ,  *電気的性質 ,  粒径 ,  *多結晶
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  熱アニーリング ,  RFマグネトロンスパッタリング ,  *アニーリング温度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ZnO:(LiN) ,  アニーリング温度 ,  薄膜トランジスタ ,  飽和移動度

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： Li ,  ドープ ,  多結晶 ,  ZnO薄膜 ,  トランジスタ ,  電気的特性 ,  アニーリング温度