Tian Longjie について
Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, China について
Zhou Dongzhan について
Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, China について
Zhou Dongzhan について
China Building Materials Academy, Beijing 100024, China について
Ma Yaobin について
Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, China について
Zhang Xiqing について
Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, China について
Wang Yongsheng について
Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, China について
Superlattices and Microstructures について
酸化亜鉛 について
X線回折 について
活性層 について
薄膜トランジスタ について
走査電子顕微鏡 について
ドーピング について
移動度 について
透過率 について
電気的性質 について
粒径 について
多結晶 について
閾値電圧 について
熱アニーリング について
RFマグネトロンスパッタリング について
アニーリング温度 について
ZnO:(LiN) について
アニーリング温度 について
薄膜トランジスタ について
飽和移動度 について
酸化物薄膜 について
半導体のルミネセンス について
Li について
ドープ について
多結晶 について
ZnO薄膜 について
トランジスタ について
電気的特性 について
アニーリング温度 について