文献

J-GLOBAL ID：201702252654971604   整理番号：17A1364840

ヘテロ構造化した遍歴強磁性体SrRuO₃における異常ホール効果の電界変調

著者 (6件)： 水野隼翔 (京大 化研) ,  山田貴大 (京大 化研) ,  菅大介 (京大 化研) ,  森山貴広 (京大 化研) ,  島川祐一 (京大 化研) ,  小野輝男 (京大 化研)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 72  号： 2  ページ： ROMBUNNO.22pE20-6  発行年： 2017年09月25日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ストロンチウム化合物 ,  *ルテニウム化合物 ,  金属酸化物 ,  *強磁性体 ,  *異常Hall効果 ,  *素子構造 ,  ガドリニウム化合物 ,  曲率 ,  バンド構造 ,  電場効果 ,  エピタクシー ,  磁性薄膜 ,  *ヘテロ構造
準シソーラス用語： Berry曲率

分類 (1件)： 金属結晶の電子伝導  (BM03033M)

タイトルに関連する用語 (5件)： ヘテロ構造 ,  強磁性体 ,  異常ホール効果 ,  電界 ,  変調