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J-GLOBAL ID：201702252764943909   整理番号：17A1556266

超広帯域効率的線形10W GaN-HEMT電力増幅器【Powered by NICT】

Ultra-wideband efficient linearized 10W GaN-HEMT power amplifier

著者 (4件)： Nghe Chi Thanh (Microwave Engineering Laboratoiy, Berlin Institute of Technology, Berlin, Germany) ,  Maassen Daniel (Microwave Engineering Laboratoiy, Berlin Institute of Technology, Berlin, Germany) ,  Nghiem Xuan Anh (GloMic GmbH, Berlin, Germany) ,  Boeck Georg (Microwave Engineering Laboratoiy, Berlin Institute of Technology, Berlin, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： RFIT  ページ： 189-191  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,超広帯域,高効率,線形化10W GaN-HEMT電力増幅器(PA)の設計に寄与する。最適負荷及びソースインピーダンスを見出すためにシミュレーションベース光源ロードプル解析を用いた系統的な設計手法を提案したPAに適用した。連続波(CW)大信号測定では,設計は,実験の結果,10W以上の出力パワーを持つ0.4から4.2GHzまで165.2%比帯域幅(FBW)の最新の成果を示すにより確認された。中程度の利得は10.7±1dBでfiatであり,電力付加効率(PAE)は47~80%の範囲であった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電力付加効率 ,  光源 ,  *線形性 ,  *電力増幅器 ,  利得 ,  連続波
準シソーラス用語： 比帯域幅 ,  大信号 ,  設計手法 ,  ロードプル ,  線形化 ,  高効率 ,  *超広帯域 ,  *GaN HEMT , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (5件)： 広帯域 ,  線形 ,  GaN ,  HEMT ,  電力増幅器