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J-GLOBAL ID：201702252787202970   整理番号：17A1259583

完全空乏化SOIにおけるRF pFETは420GHz F_Tを示す【Powered by NICT】

RF-pFET in fully depleted SOI demonstrates 420 GHz F_T

著者 (20件)： Watts Josef (GLOBALFOUNDRIES, USA) ,  Sundaram Kumaran (GLOBALFOUNDRIES, Singapore) ,  Chew Kok Wai Johnny (GLOBALFOUNDRIES, Singapore) ,  Lehmann Steffen (GLOBALFOUNDRIES, Germany) ,  Ong Shih Ni (GLOBALFOUNDRIES, Singapore) ,  Chow Wai Heng (GLOBALFOUNDRIES, Singapore) ,  Chan Lye Hock (GLOBALFOUNDRIES, Singapore) ,  Mazurier Jerome (CEA-LETI Minatec, France) ,  Schwan Christoph (GLOBALFOUNDRIES, Germany) ,  Andee Yogadissen (CEA-LETI Minatec, France) ,  Feudel Thomas (GLOBALFOUNDRIES, Germany) ,  Pirro Luca (CEA-LETI Minatec, France) ,  Erben Elke (GLOBALFOUNDRIES, Germany) ,  Nowak Edward (GLOBALFOUNDRIES, USA) ,  Smith Elliot (GLOBALFOUNDRIES, Germany) ,  Bazizi El Mehdi (GLOBALFOUNDRIES, Germany) ,  Kammler Thorsten (GLOBALFOUNDRIES, Germany) ,  Taylor Richard (GLOBALFOUNDRIES, USA) ,  Rice Bryan (GLOBALFOUNDRIES, Germany) ,  Harame David (GLOBALFOUNDRIES, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： RFIC  ページ： 84-87  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 420GHz f_T,我々の知る限りではシリコンpFETについて報告された最高値である実験pFETを報告した。相互コンダクタンスは1800uS/umである。技術はSiGe縮合によって生成したpFETチャネルを持つオンインシュレータ(FDSOI)完全空乏化シリコンである。この優れた性能は静電容量を最小化し,チャネルに圧縮歪を最大化するレイアウトとプロセス最適化の組合せによって達成される。技術は,高移動度のためのSiGeチャンネルに加えて高k金属ゲートと短ゲート長(20nm延伸)を特徴としている。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 延伸 ,  *チャネル ,  相互コンダクタンス ,  縮合反応 ,  静電容量
準シソーラス用語： ゲート長 ,  メタルゲート ,  高移動度 ,  プロセス最適化 ,  圧縮歪 ,  FDSOI ,  シリコンゲルマニウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： SOI ,  RF